【ITBEAR科技資訊】8月9日消息，近日，韓國半導(dǎo)體制造巨頭SK海力士在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行的“2023閃存峰會”上宣布了令人矚目的技術(shù)突破。據(jù)了解，SK海力士公布了其最新研發(fā)的321層1TB TLC 4D NAND閃存的進(jìn)展情況，并展示了目前開發(fā)階段的樣品。
作為業(yè)界領(lǐng)先者，SK海力士成為首家披露300層以上NAND技術(shù)進(jìn)展的公司。該公司表示，他們將在238層NAND的基礎(chǔ)上進(jìn)一步推進(jìn)321層NAND的研發(fā)，旨在在2025年上半年開始量產(chǎn)。據(jù)SK海力士相關(guān)負(fù)責(zé)人透露：“我們在已經(jīng)量產(chǎn)的238層NAND的技術(shù)積累上，有序地推進(jìn)著321層NAND的研發(fā)工作，為即將到來的300層NAND時(shí)代做好充分準(zhǔn)備，繼續(xù)引領(lǐng)市場潮流?！?/p>
這項(xiàng)新技術(shù)的優(yōu)勢在于，相比上一代的238層512Gb NAND，321層1TB TLC NAND的效率提升了59%。這一成就得益于數(shù)據(jù)存儲單元的更多堆疊，使得在同一芯片上實(shí)現(xiàn)了更大的存儲容量，同時(shí)也提高了每個(gè)晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，隨著生成型人工智能市場的不斷蓬勃發(fā)展，對于高性能、高容量存儲器的需求也在迅速增加。在這次峰會上，SK海力士還推出了面向這些需求的下一代NAND產(chǎn)品解決方案，其中包括采用PCIe 5(Gen5)接口的企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD)和UFS 4.0。這些產(chǎn)品將提供世界級領(lǐng)先性能，以滿足追求高性能的客戶的需求。
此外，SK海力士還表示，基于目前的產(chǎn)品技術(shù)積累以及不斷優(yōu)化的企業(yè)內(nèi)部解決方案，他們正在積極研發(fā)下一代PCI 6.0和UFS 5.0產(chǎn)品，旨在未來繼續(xù)引領(lǐng)市場趨勢。
SK海力士NAND閃存開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長崔正達(dá)在他的主題演講中表示：“通過開發(fā)第五代4D NAND 321層閃存產(chǎn)品，我們將進(jìn)一步鞏固品牌在NAND技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。公司將致力于推出適應(yīng)人工智能時(shí)代需求的高性能、大容量NAND產(chǎn)品，繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)的發(fā)展?！?/p>
