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臺(tái)積電、三星和英特爾展開(kāi)"超精細(xì)"競(jìng)賽 全球半導(dǎo)體行業(yè)震動(dòng)

   時(shí)間:2023-06-09 15:37:35 來(lái)源:ITBEAR編輯:星輝 發(fā)表評(píng)論無(wú)障礙通道

【ITBEAR科技資訊】6月9日消息,全球半導(dǎo)體行業(yè)正掀起一場(chǎng)激烈的"超精細(xì)"競(jìng)賽,臺(tái)積電、三星和英特爾三大巨頭正在為技術(shù)領(lǐng)先地位展開(kāi)角力。

臺(tái)積電作為全球最大的半導(dǎo)體代工企業(yè),正致力于開(kāi)發(fā)2納米工藝,以鞏固其在代工領(lǐng)域的主導(dǎo)地位,并進(jìn)一步拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。

據(jù)了解,臺(tái)積電已經(jīng)派遣約1000名研發(fā)人員進(jìn)駐新竹科學(xué)園區(qū),建設(shè)名為"Fab 20"的生產(chǎn)基地,以為蘋(píng)果和英偉達(dá)試產(chǎn)2納米工藝產(chǎn)品。

另一方面,三星電子也在競(jìng)爭(zhēng)中努力迎頭趕上。早在2022年6月,三星便宣布開(kāi)始使用全能柵極(GAA)工藝量產(chǎn)3納米芯片,比臺(tái)積電早了半年。

最近,三星電子DS部門(mén)總裁Kyung Kye-hyun在大田KAIST的演講中表示,他們將從2納米工藝開(kāi)始,努力追趕臺(tái)積電的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

據(jù)ITBEAR科技資訊了解,而英特爾則計(jì)劃于2024年下半年改進(jìn)其代工廠,推出制造1.8納米范圍芯片的計(jì)劃。該公司于今年3月制定了一項(xiàng)與ARM合作的計(jì)劃,旨在利用1.8納米工藝開(kāi)發(fā)下一代移動(dòng)片上系統(tǒng)(SoC)。

盡管英特爾有著改進(jìn)計(jì)劃,但業(yè)內(nèi)人士對(duì)于該公司能否成功實(shí)現(xiàn)并達(dá)到理想的收支平衡率表示了一定的悲觀態(tài)度,因?yàn)檫@將是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。

在英特爾于6月1日的活動(dòng)中,該公司宣布了全新的PowerVia技術(shù),希望通過(guò)擴(kuò)大其在代工行業(yè)中的影響力來(lái)提升競(jìng)爭(zhēng)力。

可以預(yù)見(jiàn),臺(tái)積電、三星和英特爾之間的競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)越來(lái)越激烈,而這場(chǎng)"超精細(xì)"競(jìng)賽也將推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步。

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