韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界迎來(lái)“逆襲”全球半導(dǎo)體代工冠軍——臺(tái)積電的重要契機(jī)。據(jù)韓國(guó)《每日經(jīng)濟(jì)》7月2日的報(bào)道，隨著6月30日三星電子全球首次開(kāi)始量產(chǎn)3納米全環(huán)繞柵極(GAA)制程工藝節(jié)點(diǎn)芯片，外界開(kāi)始預(yù)測(cè)三星電子與臺(tái)積電的未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)格局。韓國(guó)業(yè)內(nèi)評(píng)估認(rèn)為，三星電子搶先引入最新工藝技術(shù)為趕超臺(tái)積電打下基礎(chǔ)，臺(tái)積電與三星電子現(xiàn)有的技術(shù)差距“無(wú)法輕易彌補(bǔ)”。
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢最新的數(shù)據(jù)顯示，今年第一季度臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體代工銷售中的份額為53.6%，約為三星(16.3%)的三倍。但隨著首次開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子加快追趕步伐。憑借新技術(shù)，三星將通過(guò)爭(zhēng)取蘋果、英特爾和 AMD等潛在客戶來(lái)縮小與臺(tái)積電的差距。韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》的報(bào)道稱，相較于之前最先進(jìn)5納米量產(chǎn)工藝，三星的3納米工藝可節(jié)約45%電力，產(chǎn)品性能提高23%。
三星的技術(shù)進(jìn)步引起臺(tái)媒關(guān)注，臺(tái)灣聯(lián)合新聞網(wǎng)7月2日?qǐng)?bào)道稱，臺(tái)積電要等到2023年才會(huì)開(kāi)始生產(chǎn)3納米制程芯片產(chǎn)品，預(yù)期三星將會(huì)利用技術(shù)優(yōu)勢(shì)搶先爭(zhēng)取更多代工客戶。目前，臺(tái)積電的尖端工藝是4納米制程，并在這一級(jí)別上擁有全球最高量產(chǎn)制造水平。
臺(tái)媒同時(shí)強(qiáng)調(diào)，雖然三星率先宣布實(shí)現(xiàn)3納米制程量產(chǎn)，但如果不能穩(wěn)定和按時(shí)供貨，便無(wú)法奪取市場(chǎng)。尤其在此前的4納米工藝上，三星電子的投入產(chǎn)出率(合格品所占比例)被指不及臺(tái)積電。此前三星憑借5納米制程技術(shù)代工的美國(guó)高通公司處理器暴露出容易過(guò)熱的問(wèn)題，高通后續(xù)處理器換成臺(tái)積電5納米制程技術(shù)后，發(fā)熱控制表現(xiàn)較好，因此市場(chǎng)對(duì)于三星3納米制程技術(shù)存在質(zhì)疑。有分析認(rèn)為，能否在短期內(nèi)將投入產(chǎn)出率提上來(lái)將成為三星電子與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。
