本周四，美光（Micron）隆重宣布了業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的 232 層 3D NAND 存儲(chǔ)解決方案，并計(jì)劃將之用于包括固態(tài)硬盤（SSD）驅(qū)動(dòng)器在內(nèi)的各種產(chǎn)品線。在陣列下 CMOS 架構(gòu)(簡(jiǎn)稱 CuA)的加持下，美光得以將兩個(gè) 3D NAND 陣列彼此堆疊。如果一切順利，該公司有望于 2022 下半年開(kāi)始增加 232 層 3D TLC NAND 閃存芯片的生產(chǎn)。
結(jié)合 CuA 設(shè)計(jì) + 232 層 NAND 方案，有助于極大地縮減美光 1Tb 3D TLC 閃存芯片的尺寸，同時(shí)降低生產(chǎn)成本或提升利潤(rùn)率。
美光尚未披露 232L 3D TLC NAND 的 IC 面積和 I/O 速率，但暗示新閃存將具有比現(xiàn)有 3D NAND 設(shè)備更高的性能，推測(cè)可用于配備了 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 。
美光科技產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 指出：該公司的相關(guān)閃存設(shè)備將配備自研和第三方主控，同時(shí)他們會(huì)保持與其他開(kāi)發(fā)人員保持密切的合作，以提供對(duì)于新閃存的適當(dāng)支持。
該公司圍繞業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的托管型 NAND 存儲(chǔ)、以及數(shù)據(jù)中心 / 客戶端 SSD 產(chǎn)品所需的技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化研發(fā)，且內(nèi)外部控制器組合一直是其垂直產(chǎn)品集成的一個(gè)重要組成部分。
這么做不僅可以確保為 NAND / 控制器技術(shù)實(shí)施恰當(dāng)?shù)膬?yōu)化，還能夠滿足其保持業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的相關(guān)要求。
該公司稱，與上一代工藝節(jié)點(diǎn)相比，新一代 232 層 3D TLC NAND 具有更低的功耗。此外美光長(zhǎng)期專注于移動(dòng)應(yīng)用，并與下游設(shè)備制造商保持著良好的合作伙伴關(guān)系。
最后，鑒于美光計(jì)劃在 2022 下半年開(kāi)啟 232 層 3D TLC NAND 的生產(chǎn)，預(yù)計(jì)各類終端產(chǎn)品(比如 SSD)也會(huì)在 2023 年陸續(xù)上市。
