據(jù)科技網(wǎng)站 elchapuzas 報(bào)道，投行摩根斯坦利日前走訪半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，得知臺(tái)積電即將完成其改進(jìn)版 3 納米工藝 N3E 的開發(fā)，最早將于本月底實(shí)現(xiàn)工藝規(guī)范凍結(jié)，基于 N3E 工藝的產(chǎn)品大規(guī)模量產(chǎn)或?qū)⒃?2023 年第二季度實(shí)現(xiàn)，較此前規(guī)劃提早一個(gè)季度。
其他信息還包括：N3E 工藝試產(chǎn)良率遠(yuǎn)高于 N3B，在減少 4 層 EUV 掩膜的情況下，邏輯電路密度僅較原先的 N3 工藝下降 8%，較 5 納米節(jié)點(diǎn)仍有 60% 的提升。
