據(jù)科技網站 elchapuzas 報道，投行摩根斯坦利日前走訪半導體設備供應商，得知臺積電即將完成其改進版 3 納米工藝 N3E 的開發(fā)，最早將于本月底實現(xiàn)工藝規(guī)范凍結，基于 N3E 工藝的產品大規(guī)模量產或將在 2023 年第二季度實現(xiàn)，較此前規(guī)劃提早一個季度。
其他信息還包括：N3E 工藝試產良率遠高于 N3B，在減少 4 層 EUV 掩膜的情況下，邏輯電路密度僅較原先的 N3 工藝下降 8%，較 5 納米節(jié)點仍有 60% 的提升。
