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消息稱 3nm 良率難拉升,臺(tái)積電已多次修正藍(lán)圖

   時(shí)間:2022-02-21 15:41:29 來(lái)源:愛(ài)集微作者:holly編輯:星輝 發(fā)表評(píng)論無(wú)障礙通道

臺(tái)積電總裁魏哲家在法說(shuō)會(huì)上透露,3 納米制程進(jìn)展符合預(yù)期,將于今年下半年量產(chǎn)。不過(guò)據(jù) Digitimes 最新報(bào)道,半導(dǎo)體設(shè)備廠商透露,臺(tái)積電 3 納米良率拉升難度飆升,臺(tái)積電因此多次修正 3 納米藍(lán)圖。

半導(dǎo)體設(shè)備廠商并指出,臺(tái)積電已將 3 納米劃分出 N3、N3E 與 N3B 等多個(gè)版本以符合不同客戶的需求。

據(jù)悉,與 5 納米工藝相比,3 納米制程可以提高 70% 的晶體管密度,15% 的性能,降低 30% 的功耗。有消息稱臺(tái)積電將在 2023 年第一季度開(kāi)始向蘋(píng)果和英特爾等客戶運(yùn)送 3 納米芯片,第一批采用 3nm 芯片的蘋(píng)果設(shè)備預(yù)計(jì)會(huì)在 2023 年首次亮相。

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