1 月 18 日，市調(diào)機(jī)構(gòu) Counterpoint 發(fā)布報(bào)告稱，考慮到大規(guī)模的新工廠建設(shè)計(jì)劃，臺(tái)積電已宣布 2022 年的資本支出為 400 億-440 億美元，高于行業(yè)預(yù)測(cè)的 380 億-420 億美元。
臺(tái)積電表示，2022 年其 70-80% 的資本支出將用于先進(jìn)工藝制程(7nm 及以下)，10-20% 用于專業(yè)技術(shù)，10% 用于先進(jìn)封裝。
報(bào)告稱，臺(tái)積電的大規(guī)模產(chǎn)能計(jì)劃意味著先進(jìn)制程的晶圓需求增加。目前，先進(jìn)制程主要用于智能手機(jī)處理器。但預(yù)計(jì)從 2023 年起，臺(tái)積電的高性能計(jì)算(HPC)產(chǎn)能需求將超過智能手機(jī)。
臺(tái)積電更高的資本支出意味著該公司在以下方面有更積極的產(chǎn)能建設(shè)計(jì)劃：
(1)3nm 和 2nm 制程。因?yàn)槌藬?shù)據(jù)中心帶來的 CPU / GPU 增長外，他們?cè)?2023 年后可能會(huì)看到來自蘋果和英特爾的更大需求。(2)3D 封裝。這是由于 HPC 客戶的更多需求。(3)特殊制程，特別是 28/22nm。
Counterpoint 指出，臺(tái)積電 2022 年主要資本支出項(xiàng)目包括：
- Fab 18(臺(tái)灣臺(tái)南)的 P5-P8 產(chǎn)能提升，主要用于 4/5nm 和 3nm;
- 美國亞利桑那州 Fab 21 建設(shè)，初期主要為 5nm;
- 南京(中國大陸)晶圓廠加速建設(shè)，主要用于 28nm;
- Fab 20(中國臺(tái)灣新津)破土動(dòng)工，最初為 2nm 生產(chǎn)而建;
- 熊本(日本)Fab 破土動(dòng)工，主要面向 28/22nm 本地客戶;
- 高雄(中國臺(tái)灣)Fab 破土動(dòng)工，初期以 7nm 為主。
報(bào)告還稱，預(yù)計(jì) 2022-2023 年代工行業(yè)將占全球邏輯(非存儲(chǔ)器)半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)量的 30%-35%。如果考慮其他代工廠 / IDM 的適度擴(kuò)張，臺(tái)積電更高的支出表明半導(dǎo)體行業(yè)資本支出也會(huì)增加。由此，2022 年和 2023 年的行業(yè)資本密集度將達(dá)到 23%，為過去 20 年來最高水平。
