12 月 6 日消息，據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電沖刺 3nm 制程，目前已進入試產(chǎn)階段。在三星 3nm 要搶先臺積電，于明年上半年量產(chǎn)之際，業(yè)界傳出臺積電正加快 3nm 量產(chǎn)腳步，有望至少提前一季度至明年第二季度量產(chǎn)。
臺積電不評論 3nm 制程相關市場傳聞。業(yè)界人士指出，臺積電與三星在先進制程與海外布局方面競爭激烈，三星目前在美國新廠投資規(guī)模暫時領先，意在 3nm 量產(chǎn)日程方面超過臺積電，消息稱高通、AMD 等臺積電重量級客戶都有意導入三星 3nm 制程。
業(yè)界人士透露，臺積電面對三星的追趕，正積極加快 3nm 量產(chǎn)腳步，若能提前量產(chǎn) 3nm，預計第一批客戶將有包括聯(lián)發(fā)科、英偉達等大廠。聯(lián)發(fā)科執(zhí)行長蔡明介日前表示，與臺積電合作緊密，5nm 及 4nm 產(chǎn)品已在量產(chǎn)過程中，3nm 會是下一個制程。
臺積電與三星在 3nm 架構(gòu)方面完全不同，臺積電沿用既有的 FinFET 架構(gòu)，三星則采用全新的 GAA 架構(gòu)。
臺積電原本規(guī)劃，3nm 制程今年內(nèi)風險性試產(chǎn)，預計明年下半開始量產(chǎn)，3nm 制程家族的 N3E 制程將于 3nm 量產(chǎn)之后的一年量產(chǎn)，3nm 家族將是另一項具大規(guī)模且長期需求的制程技術。
