9 月 29 日消息 從比亞迪獲悉，9 月 25 日-28 日，2021 世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車大會(huì)在北京舉辦。大會(huì)同期舉辦新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展成果展，比亞迪半導(dǎo)體攜 6 款“高精尖”功率器件產(chǎn)品亮相。
展會(huì)期間，比亞迪半導(dǎo)體集中展示了 6 款功率器件產(chǎn)品：V-215、V-305(SiC 模塊)、V-SSDC(SiC 模塊)、V-DUAL1、IGBT 晶圓、FRD 晶圓。
▲ 比亞迪半導(dǎo)體展品 | 圖源：比亞迪
比亞迪本次重點(diǎn)展示了兩款碳化硅功率模塊：V-305 (SiC 模塊)、V-SSDC (SiC 模塊)。比亞迪表示，其中，305 封裝 1200V 840A 規(guī)格三相全橋碳化硅功率模塊，在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用，助力漢車型百公里加速達(dá)到 3.9s。
該 SiC 模塊采用納米銀燒結(jié)工藝，AMB 活性金屬釬焊，使用銅夾互連工藝，提升了芯片過(guò)電流能力，模塊輸出功率可達(dá) 200KW。
據(jù)介紹，在 SiC 器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn) SiC 模塊在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用，其自主研發(fā)制造的高性能碳化硅功率模塊，是全球首家、國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中大批量裝車的 SiC 三相全橋模塊。
本次成果展也重點(diǎn)展示了 V-DUAL1 IGBT 模塊，其采用自主研發(fā)的 IGBT4.0(復(fù)合場(chǎng)終止)技術(shù)。
2018 年 12 月，比亞迪半導(dǎo)體正式發(fā)布全新車規(guī)級(jí)“IGBT 4.0”技術(shù)。比亞迪數(shù)據(jù)顯示，搭載比亞迪 IGBT4.0 后，整車百公里電耗能夠降低 0.6kWh。
目前，比亞迪半導(dǎo)體基于高密度 TrenchFS 的 IGBT5.0 技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，同時(shí)正在布局新一代 IGBT 技術(shù)。
FRD 芯片則在 IGBT 模塊中與 IGBT 芯片并聯(lián)使用，起反向恢復(fù)作用。
