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比亞迪半導體 6 款“高精尖”功率器件產(chǎn)品亮相

   時間:2021-09-29 15:09:51 來源:IT之家編輯:星輝 發(fā)表評論無障礙通道

9 月 29 日消息 從比亞迪獲悉,9 月 25 日-28 日,2021 世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車大會在北京舉辦。大會同期舉辦新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展成果展,比亞迪半導體攜 6 款“高精尖”功率器件產(chǎn)品亮相。

展會期間,比亞迪半導體集中展示了 6 款功率器件產(chǎn)品:V-215、V-305(SiC 模塊)、V-SSDC(SiC 模塊)、V-DUAL1、IGBT 晶圓、FRD 晶圓。

▲ 比亞迪半導體展品 | 圖源:比亞迪

比亞迪本次重點展示了兩款碳化硅功率模塊:V-305 (SiC 模塊)、V-SSDC (SiC 模塊)。比亞迪表示,其中,305 封裝 1200V 840A 規(guī)格三相全橋碳化硅功率模塊,在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中已實現(xiàn)規(guī)?;瘧?,助力漢車型百公里加速達到 3.9s。

該 SiC 模塊采用納米銀燒結工藝,AMB 活性金屬釬焊,使用銅夾互連工藝,提升了芯片過電流能力,模塊輸出功率可達 200KW。

據(jù)介紹,在 SiC 器件領域,比亞迪半導體已實現(xiàn) SiC 模塊在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)?;瘧茫渥灾餮邪l(fā)制造的高性能碳化硅功率模塊,是全球首家、國內(nèi)唯一實現(xiàn)在電機驅(qū)動控制器中大批量裝車的 SiC 三相全橋模塊。

本次成果展也重點展示了 V-DUAL1 IGBT 模塊,其采用自主研發(fā)的 IGBT4.0(復合場終止)技術。

2018 年 12 月,比亞迪半導體正式發(fā)布全新車規(guī)級“IGBT 4.0”技術。比亞迪數(shù)據(jù)顯示,搭載比亞迪 IGBT4.0 后,整車百公里電耗能夠降低 0.6kWh。

目前,比亞迪半導體基于高密度 TrenchFS 的 IGBT5.0 技術已實現(xiàn)量產(chǎn),同時正在布局新一代 IGBT 技術。

FRD 芯片則在 IGBT 模塊中與 IGBT 芯片并聯(lián)使用,起反向恢復作用。

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