8 月 26 日消息 據(jù)韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子設(shè)備解決方案(DS)業(yè)務(wù)部首席技術(shù)官 Jeong Eun-seung 宣布，作為下一代代工微制造工藝的核心，全環(huán)繞柵極(Gate-All-Around，GAA)技術(shù)將盡早實現(xiàn)商業(yè)化。
Jeong 在 8 月 25 日在線舉行的三星技術(shù)與職業(yè)論壇上發(fā)表主題演講時說：“我們正在領(lǐng)先于我們的主要競爭對手(臺積電)開發(fā) GAA 技術(shù)，如果我們攻克這項技術(shù)，我們的代工業(yè)務(wù)將能夠進一步發(fā)展。”該論壇是由三星電子的 DS 業(yè)務(wù)部創(chuàng)建的，旨在吸引全球工程師。
GAA 被認為是 3 納米工藝的一個關(guān)鍵部分，在不久的將來將被全球頂級代工企業(yè)采用。其關(guān)鍵是將在半導(dǎo)體內(nèi)部充當“電流開關(guān)”的晶體管的結(jié)構(gòu)從 3D(FinFET)改為 4D(GAA)。據(jù)三星電子稱，2019 年其與客戶進行的 3 納米 GAA 工藝設(shè)計套件測試顯示，GAA 技術(shù)將芯片面積削減了 45%，并將電源效率提升了 50%。
業(yè)內(nèi)分析人士表示，誰會首先將 GAA 技術(shù)商業(yè)化還是未知數(shù)，這是因為臺積電也在積極地將該技術(shù)提前實現(xiàn)商業(yè)化。2011 年至 2020 年間，全球 GAA 專利的 31.4% 來自臺積電，三星電子的專利占 20.6%。
三星電子表示，其在技術(shù)方面與臺積電的競爭不相上下，Jeong 說，“三星在 2017 年開始了代工業(yè)務(wù)，但我們將憑借在內(nèi)存半導(dǎo)體方面的專有技術(shù)超越臺積電，”他舉例說，三星電子比臺積電更早開發(fā)了裝載 FinFET 技術(shù)的 14MHz 產(chǎn)品。
