(原標(biāo)題：臺(tái)積電 1nm 以下制程取得重大突破，已發(fā)表于 Nature)
臺(tái)積電昨日聯(lián)合臺(tái)大、麻省理工宣布，在 1nm 以下芯片方面取得重大進(jìn)展，研究成果已發(fā)表于 Nature。
該研究發(fā)現(xiàn)，利用半金屬鉍 Bi 作為二維材料的接觸電極，可以大幅降低電阻并提高電流，實(shí)現(xiàn)接近量子極限的能效，有望挑戰(zhàn) 1nm 以下制程的芯片。
據(jù)介紹，該發(fā)現(xiàn)是由麻省理工團(tuán)隊(duì)首先發(fā)現(xiàn)的，隨后臺(tái)積電將“易沉積制程”進(jìn)行優(yōu)化，而臺(tái)大電機(jī)系暨光電所教授吳志毅團(tuán)隊(duì)則通過氦離子束微影系統(tǒng)”將元件通道成功縮小至納米尺寸。
IT之家此前報(bào)道，IBM 在 5 月初首發(fā)了 2nm 工藝芯片，與當(dāng)前主流的 7nm 芯片相比，IBM 2nm 芯片的性能預(yù)計(jì)提升 45%，能耗降低 75%。
不過業(yè)界人士表示，由于 IBM 沒有先進(jìn)邏輯制程芯片的晶圓廠，因此其 2nm 工藝無法很快落地，“彎道超車”也比較困難。
