3月25日消息 據(jù)外媒 HPCwire 消息，三星電子 3 月 24 日宣布成功開(kāi)發(fā)了單條容量512GB的 DDR5 模組，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工藝，可以提供超過(guò) DDR4 內(nèi)存一倍的性能表現(xiàn)，達(dá)到 7200Mb/s。三星表示，新款內(nèi)存可以用于超級(jí)計(jì)算機(jī)、人工智能運(yùn)算、數(shù)據(jù)分析等領(lǐng)域，保證性能釋放。
據(jù)了解，HKMG 技術(shù)目前僅應(yīng)用于 GDDR6 顯存芯片，能夠使用新的金屬材料作為芯片中的絕緣層，減少漏電流，使得能耗降低 13%。三星這項(xiàng)技術(shù)在 DDR5 內(nèi)存顆粒的應(yīng)用，進(jìn)一步確立了該品牌的領(lǐng)先地位。
除此之外，三星還利用了TSV硅通孔技術(shù)，堆疊8 層 16Gb DRAM 芯片，因此可以實(shí)現(xiàn) DDR5 內(nèi)存 512GB 的最大容量。
三星電子內(nèi)存部門(mén)副總裁 Young-Soo Sohn 表示，“三星是目前全球唯一一家能夠使用 HKMG 技術(shù)制造內(nèi)存芯片的半導(dǎo)體廠商。這種工藝引入 DRAM 制造，三星可以為客戶提供高性能、高能效的內(nèi)存解決方案，助力醫(yī)學(xué)研究、金融、自動(dòng)駕駛、智慧城市等應(yīng)用。”
英特爾還表示，隨著目前世界上數(shù)據(jù)量的持續(xù)增長(zhǎng)，DDR5 內(nèi)存正處于云計(jì)算中心、網(wǎng)絡(luò)中心、邊緣計(jì)算的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。英特爾的工程師團(tuán)隊(duì)與三星等企業(yè)密切合作，致力于制造高速、節(jié)能的 DDR5 內(nèi)存。英特爾即將發(fā)布的代號(hào)為 “Sapphire Rapids”的 Xeon 至強(qiáng)處理器也將兼容 DDR5 內(nèi)存。
據(jù)悉，三星正在對(duì)其 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品原型的不同變種進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，并發(fā)送樣品給客戶進(jìn)行檢驗(yàn)。
