11 月 10 日消息 全球頂級(jí)半導(dǎo)體峰會(huì)之一的 Flash Memory 峰會(huì)將于 2020 年 11 月 10 日在美國(guó)加州圣克拉拉會(huì)議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術(shù)，該技術(shù)具有 176 層存儲(chǔ)單元堆疊。
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新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來(lái)所研發(fā)的第二代產(chǎn)品，上一代 3D NAND 則是 128 層設(shè)計(jì)，算是美光的過(guò)渡節(jié)點(diǎn)。而目前在三星的存儲(chǔ)技術(shù)大幅度領(lǐng)先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒(méi)有特別高。此外，雖然升級(jí)到了 176 層，但仍落后于三星。
美光方面并未公布太多關(guān)于該技術(shù)的信息。
176 層 NAND 支持的接口速度為 1600MT / s，高于其 96 層和 128 層閃存的 1200MT / s。與 96L NAND 相比，讀(寫(xiě))延遲提高了 35% 以上，與 128L NAND 相比，提高了 25% 以上。與使用 96L NAND 的 UFS 3.1 模塊相比，美光芯片的總體混合工作負(fù)載改善了約 15%。
美光表示其 176 層 3D NAND 已開(kāi)始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達(dá)的消費(fèi)級(jí) SSD 產(chǎn)品中出貨。
