5月13日消息 根據(jù)光威的消息,5月14日,光威弈PRO內(nèi)存條正式登陸京東首發(fā),搭載了長(zhǎng)鑫1X nm級(jí)別的DDR4內(nèi)存芯片,并且采用了8層PCB的設(shè)計(jì)。
據(jù)了解,上圖中的光威8GB DDR4 3000內(nèi)存電壓為1.35V,時(shí)序?yàn)?6-18-18-38,支持XMP 2.0超頻。
光威表示,光威弈PRO 8G DDR4,不僅兼容性好,而且可玩性高。目前已有一些玩家超頻4000MHz以上且正在嘗試更高頻率,也有一些玩家嘗試在1.2V電壓的情況下超較高的頻率。光威稱這些都充分的表明長(zhǎng)鑫顆粒的體質(zhì)非常好,已經(jīng)媲美三大廠的中高等級(jí)的內(nèi)存顆粒。