2月5日消息 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
第三代HBM2存儲芯片單顆最大容量16GB，由16Gb的單Die通過8層堆疊而成，可實現(xiàn)16GB的封裝容量，并確保3.2Gbps的穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸速度。
三星方面表示，新型16GB HBM2E特別適用于高性能計算(HPC)系統(tǒng)，并可幫助系統(tǒng)制造商及時改進其超級計算機、AI驅(qū)動的數(shù)據(jù)分析和最新的圖形系統(tǒng)。
三星預(yù)計第三代HBM2存儲芯片將在今年上半年開始量產(chǎn)。三星將繼續(xù)提供第二代Aquabolt產(chǎn)品陣容，同時擴展其第三代Flashbolt產(chǎn)品。
