10月25日消息 據(jù)TPU報(bào)道，臺(tái)積電在硅芯片制造工藝方面一直非常積極，在研發(fā)方面也投入了很多資金，目前已達(dá)到或超過了英特爾的資本支出。最新的消息顯示，臺(tái)積電3nm工藝晶圓廠已經(jīng)開始建設(shè)，預(yù)計(jì)將于2023年量產(chǎn)。
據(jù)《電子時(shí)報(bào)》消息，臺(tái)積電已在中國(guó)臺(tái)灣南部科技園獲得了30公頃土地，開始建設(shè)3nm工藝晶圓廠，預(yù)計(jì)在2023年開始大規(guī)模生產(chǎn)3nm制程的處理器。
臺(tái)積電將于2020年開始建設(shè)3nm工藝的生產(chǎn)設(shè)施，為新廠奠定技術(shù)基礎(chǔ)。3nm半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)工藝預(yù)計(jì)將是臺(tái)積電在EUV光刻技術(shù)上的第三次嘗試，臺(tái)積電的7nm +和5nm節(jié)點(diǎn)同樣都是基于EUV技術(shù)。
