在本周早些時(shí)候與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心，該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
美光表示，“我們相信，受人工智能、自動駕駛汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng)等廣泛的長期趨勢驅(qū)動，記憶和存儲的長期需求前景引人注目”美光公司首席執(zhí)行官桑杰·梅赫特拉(Sanjay Mehrotra)說。“美光公司已準(zhǔn)備好利用這些趨勢，創(chuàng)新產(chǎn)品，快速響應(yīng)的供應(yīng)鏈，與全球客戶建立良好關(guān)系。”
由于供應(yīng)超過需求，近幾個(gè)季度DRAM價(jià)格大幅下跌。為了降低成本并為內(nèi)存的新應(yīng)用的出現(xiàn)做好準(zhǔn)備，DRAM制造商正在積極地轉(zhuǎn)向更新的工藝技術(shù)。與此同時(shí)，雖然承認(rèn)他們需要平衡DRAM的供需，但他們實(shí)際上已經(jīng)制定了積極的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃，因?yàn)樗麄冃枰嗟臐崈羰矣糜诩磳⒌絹淼闹圃旒夹g(shù)。
美光公司在制造工藝方面擁有積極的路線圖，現(xiàn)在又增加了4個(gè)10納米級節(jié)點(diǎn)(總共6個(gè)10納米級技術(shù))，該公司正在研究最終向極紫外光刻(EUVL)的過渡。美光還在擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，以便為下一代應(yīng)用生產(chǎn)下一代存儲器，即為消費(fèi)級準(zhǔn)備32 GB內(nèi)存模塊，為服務(wù)器準(zhǔn)備64 GB DIMM。
本月早些時(shí)候，我們報(bào)道了美光的16 Gb DDR4內(nèi)存芯片，該芯片采用該公司的第二代10納米級制造工藝(也稱為1Y nm)生產(chǎn)。這些DRAM芯片已經(jīng)在用于威剛和英睿達(dá)的32 GB DDR4內(nèi)存條中，這些產(chǎn)品也將不久后上市。
▲美光旗下英睿達(dá)的32GB單條內(nèi)存
早在4月份，為了應(yīng)對DRAM和新工藝技術(shù)需求的增加，美光存儲臺灣(前雷克斯光電半導(dǎo)體)新潔凈室破土動工。
美光儲存(臺灣)早已在使用美光的第一代10納米級制造技術(shù)(也稱為1X nm)制造DRAM產(chǎn)品，并將在不久的將來直接進(jìn)入第3代10納米級工藝(又名1Z nm) 。與此同時(shí)，去年美光在臺中附近開辟了一個(gè)新的測試和包裝設(shè)施，創(chuàng)造了世界上唯一的垂直集成DRAM生產(chǎn)設(shè)施之一。
此外，美光公司宣布計(jì)劃在日本廣島附近的公廠內(nèi)投入20億美元用于新的潔凈室。據(jù)報(bào)道，新的產(chǎn)能將用于制造美光13納米工藝技術(shù)的DRAM。
總的來說，美光將擁有多個(gè)10納米級節(jié)點(diǎn)。除了目前使用的第一代和第二代10納米級工藝技術(shù)外，美光還計(jì)劃推出至少四種10納米級制造工藝：1Z，1α，1β和1γ。
目前，美光公司正在生產(chǎn)第二代10納米級制造工藝(即1Y nm)，包括該公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲器件。
該公司的下一代1Z nm目前已獲得客戶的認(rèn)可(即，他們正在測試使用該工藝生產(chǎn)的各種芯片)，預(yù)計(jì)將在近期宣布，該技術(shù)將用于生產(chǎn)16 Gb LPDDR5存儲器件以及DDR5存儲器件。
繼1Z nm節(jié)點(diǎn)之后，美光計(jì)劃開始使用其1αnm制造技術(shù)以獲得更高的產(chǎn)量，這意味著它正處于后期開發(fā)階段。之后是1βnm制造工藝，該工藝也是處于早期開發(fā)階段。
美光沒有說明在1γnm工藝之后是否會直接進(jìn)入EUV。該公司正在評估ASML的Twinscan NXE步進(jìn)掃描功能以及使用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)所需的其他設(shè)備，并正在評估這些工具何時(shí)可用于制造DRAM。
