3月28日，Intel在京舉辦一年一度的媒體紛享會，全景介紹了Intel面向未來的公司戰(zhàn)略，技術(shù)和產(chǎn)品方面也披露了不少干活，比如大家非常關(guān)心的制程工藝。
制程工藝、封裝技術(shù)被Intel視為公司發(fā)展的六大戰(zhàn)略支柱之一，甚至可以說最基礎(chǔ)的之首，一直在不遺余力地推進。
10nm工藝目前的良品率已經(jīng)提高到滿意水平，今年底開始就會進入各個領(lǐng)域，包括消費級筆記本的Ice Lake、3D封裝的Lakefiled、數(shù)據(jù)中心的Ice Lake、5G移動通信的Snow Ridge。
面相未來，Intel也一直有清晰的路線圖。Intel中國研究院院長宋繼強在演講中就明確列出了7nm、5nm、3nm工藝，而為了實現(xiàn)這些高級工藝，Intel認為需要在材料、技術(shù)等各方面尋求全新的突破，包括III-V晶體管、3D堆疊、材料合成、2D材料、納米線晶體管、EUV圖案成型、密集互聯(lián)、密集內(nèi)存等等。
Intel提出了從以晶體管為中心向以數(shù)據(jù)為中心轉(zhuǎn)型的大方向，宋繼強院長也強調(diào)，單純依靠晶體管縮微來發(fā)展是不現(xiàn)實的，必須多元化多方位入手，尤其是強化架構(gòu)革新。
至于7/5/3nm工藝何時實現(xiàn)，眼下當然不會有明確的時間表。宋院長在接受快科技采訪的時候表示，新工藝的更新步伐會減慢，但是摩爾定律的經(jīng)濟效益會繼續(xù)存在，因為摩爾定律不僅僅是關(guān)于晶體管密度的增加，也包含了單位成本的降低。
