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三星Galaxy S8或將采用SK海力士8GB LPDDR4X內存芯片

   時間:2017-01-10 09:23:06 來源:cnBeta編輯:星輝 發(fā)表評論無障礙通道

三星即將推出的Galaxy S8智能手機肯定會是一個令人興奮的旗艦產品,相關的各種信息繼續(xù)浮出水面。最新的消息是它將采用8GB內存芯片,這種芯片由SK海力士制造。SK海力士是韓國第二大芯片制造商,它剛剛宣布了全新移動DRAM芯片,這將是Galaxy S8的亮點。另外消息人士聲稱,新的芯片也可能安裝在蘋果的iPhone 8當中,iPhone8將于今年晚些時候發(fā)布。

SK海力士表示,這種低功耗雙倍數據速率的4X芯片具有世界上最高的8GB密度,據說比目前Galaxy S7和Galaxy S7 Edge使用的LPDDR4多出20%的功率效率。,它使用雙通道技術連接兩個堆疊在四層當中的8GB DRAM芯片。存儲器芯片尺寸為12毫米x 12.7毫米,深度為1毫米。這意味著,與目前的8GB DRAM芯片相比,它在移動設備中占用的空間減少了約30%。新芯片使用64位輸入輸出端口每秒可以處理34.1GB數據。

新芯片最有可能在Galaxy S8當中與高通驍龍835處理器協(xié)同工作,它的尺寸也比其前身更小,性能有所提高,高通驍龍835處理器內建Adreno 540圖形處理單元,賦予其卓越的圖形性能。SK海力士預計,今年8GB移動DRAM芯片的需求將增加,因為它們將成為今年智能手機的流行配置。

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芯片

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