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Galaxy S6完整性能測(cè)試:完爆驍龍810?

   時(shí)間:2015-03-02 13:58:53 來(lái)源:驅(qū)動(dòng)之家作者:鯤鵬編輯:星輝 發(fā)表評(píng)論無(wú)障礙通道

今天凌晨,三星正式發(fā)布了新一代旗艦產(chǎn)品Galaxy S6和Galaxy S6 Edge,除了外觀有較大改變之外,這兩款產(chǎn)品的另一大特色就是搭載了14nm制程的Exynos 7420處理器。

提到Exynos 7420就不能不提一下驍龍810,二者均為64位八核心架構(gòu),也都是四顆Cortex-A57搭配四顆Cortex-A53。不同的是Exynos 7420采用了14nm制程,GPU為Mali-T760,而驍龍810則是20nm制程,GPU為Adreno 430。

Galaxy S6完整性能測(cè)試:完爆驍龍810?

此外,二者的主頻也不太一樣,其中驍龍810的主頻為2GHz,集成的基帶芯片支持LTE Cat.9,而Exynos 7420的主頻則是1.5GHz,集成的基帶芯片支持LTE Cat.6。

按照二者的規(guī)格來(lái)推測(cè)的話,Exynos 7420占據(jù)制程優(yōu)勢(shì),且主頻較低,因此發(fā)熱和功耗都應(yīng)該比驍龍810要低一些。當(dāng)然這只是推測(cè),實(shí)際要有待進(jìn)一步的驗(yàn)證。

臺(tái)灣同行VR-Zone中文版今天拿到了Galaxy S6 Edge測(cè)試機(jī),詳細(xì)測(cè)試了它的性能,并加入了搭載驍龍810處理器的LG G Flex 2作為對(duì)比。需要說(shuō)明的是,前者內(nèi)存為3GB,后者則是2GB。

具體測(cè)試項(xiàng)目包括AnTuTu v5.6.1、GeekBench 3.0、3DMark以及PCMark:

Galaxy S6完整性能測(cè)試:完爆驍龍810?

從安兔兔測(cè)試成績(jī)來(lái)看,Exynos 7420在主頻較低的情況下依然能在CPU性能方面完爆驍龍810,而且領(lǐng)先幅度接近一倍。由此推測(cè)驍龍810應(yīng)該是遭遇了嚴(yán)重的降頻問(wèn)題,否則成績(jī)不會(huì)這么低。當(dāng)然,也可以把問(wèn)題歸咎于高通沒(méi)優(yōu)化好,但這個(gè)可能性非常低。

內(nèi)存性能方面,雖然驍龍810僅搭配了2GB內(nèi)存,但運(yùn)行速度完爆3GB內(nèi)存的Exynos 7420,由此推測(cè)驍龍810平臺(tái)的內(nèi)存頻率應(yīng)該高于Exynos 7420,或者說(shuō)高通的內(nèi)存控制器設(shè)計(jì)比三星更合理。

GPU方面,高通終于扳回一城,不過(guò)3D成績(jī)是在1080p分辨率下完成測(cè)試的,而Exynos 7420搭配的則是2K分辨率,二者的成績(jī)其實(shí)基本持平...

換到3DMark中,在相同分辨率下驍龍810依然取得領(lǐng)先,由此來(lái)看Adreno 430應(yīng)該比Mali-T760性能更強(qiáng)一些。只有最后的物理測(cè)試驍龍810落后純粹是因?yàn)镃PU性能不如Exynos 7420。

至于GeekBench和PCMark,Exynos 7420基本上都是壓倒性的優(yōu)勢(shì),驍龍810并未討得什么便宜。

Galaxy S6完整性能測(cè)試:完爆驍龍810?
Galaxy S6完整性能測(cè)試:完爆驍龍810?

在PCMark的曲線分析中,我們可以清楚的看到驍龍810的運(yùn)行時(shí)的頻率要比Exynos 7420低不少,難怪性能存在差距,

Galaxy S6完整性能測(cè)試:完爆驍龍810?

另外,VR-Zone中文版還對(duì)Galaxy S6的UFS 2.0閃存性能進(jìn)行了測(cè)試,讀寫速度完爆eMMC 5.0。

最后說(shuō)說(shuō)結(jié)論吧,驍龍810是一款非常不錯(cuò)的SOC,但前提是擁有非常不錯(cuò)的被動(dòng)散熱環(huán)境,或者干脆上小風(fēng)扇吧。

至于Exynos 7420,測(cè)試中的表現(xiàn)是令人滿意的,盡管GPU相比驍龍810還存在些許差距,但帶動(dòng)2K屏完全不是問(wèn)題。至于基帶方面的劣勢(shì),三星想要追評(píng)高通是很難的。

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