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日本科學(xué)家發(fā)明超長(zhǎng)壽閃存 可擦寫1億次

   時(shí)間：2008-07-16 10:18:27 來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng)編輯：星輝 發(fā)表評(píng)論無(wú)障礙通道

日本東京大學(xué)的科學(xué)家宣布他們研制出了一種新的Flash閃存，可以減少我們對(duì)數(shù)據(jù)安全性的擔(dān)心，這種名叫ferroelectric Nand Flash （FNF）的閃存可被重復(fù)擦寫1億次，而目前的閃存壽命大約為50萬(wàn)次。

這種芯片基于10納米技術(shù)制造，而目前的Flash則為30納米，這可以有效提升存儲(chǔ)密度，并且讀寫所需的電力也更少。

但目前尚不了解什么時(shí)候才能看到運(yùn)用此種技術(shù)的商品出現(xiàn)。

Flash memory

Current Flash chips are estimated to have a useful lifetime of around a decade

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