時(shí)至今日,三星和Intel依然是半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭,但在芯片代工領(lǐng)域,已無(wú)力與臺(tái)積電抗衡。 臺(tái)積電在2024年ISSCC(IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議)上,概述了其 3D 光學(xué)引擎路線圖,并推出了基于硅光子的封…
該逆變器采用堆疊式 n 型和 p 型納米片晶體管,臺(tái)積電在設(shè)計(jì)中融入了背面觸點(diǎn)和互連技術(shù),極大地提高了器件的性能與設(shè)計(jì)靈活性。 IBM和三星將展示一種“單片堆疊 FET”,這項(xiàng)研究提出了階梯結(jié)構(gòu)的概念,其…