三星500億研發(fā)3nm反被“打臉”，自家芯片竟找臺(tái)積電代工？

在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，三星長(zhǎng)期以來懷揣著一個(gè)宏偉目標(biāo)：超越臺(tái)積電，登頂全球第一的寶座。為了實(shí)現(xiàn)這一夢(mèng)想，三星在3納米（nm）工藝節(jié)點(diǎn)上采取了一項(xiàng)大膽的策略。

面對(duì)技術(shù)路線的選擇，三星決定摒棄傳統(tǒng)的FinFET晶體管技術(shù)，轉(zhuǎn)而投向更為先進(jìn)的GAAFET晶體管技術(shù)。這一決定讓三星在時(shí)間上領(lǐng)先于臺(tái)積電等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，后者仍堅(jiān)持使用較為成熟的FinFET技術(shù)。為了搶占市場(chǎng)先機(jī)，三星不惜投入巨額資金，據(jù)估算，總投入高達(dá)500億美元。終于，在2022年上半年，三星成功實(shí)現(xiàn)了3nm芯片的量產(chǎn)，比臺(tái)積電早了足足半年。

然而，三星的激進(jìn)策略并未如愿帶來預(yù)期的市場(chǎng)反響。盡管3nm芯片成功量產(chǎn)，但其良率卻遠(yuǎn)低于行業(yè)可接受的水平。在2022年和2023年，沒有一家廠商敢于采用三星的3nm工藝，即便是三星自家的產(chǎn)品也僅停留在4nm工藝上。高通、聯(lián)發(fā)科等廠商更是對(duì)三星的3nm芯片持謹(jǐn)慎態(tài)度，遲遲未敢下單。

進(jìn)入2024年，情況并未好轉(zhuǎn)。高通、聯(lián)發(fā)科等廠商紛紛推出了自己的3nm芯片，而三星的3nm芯片良率問題依然嚴(yán)峻，導(dǎo)致這些大廠繼續(xù)選擇避開三星。高通甚至將原本計(jì)劃采用三星工藝的驍龍8 Elite芯片轉(zhuǎn)單給了臺(tái)積電。

不僅如此，連三星自家的獵戶座芯片，盡管采用了3nm工藝，但據(jù)傳聞也很可能將轉(zhuǎn)由臺(tái)積電代工。這一消息無疑給三星的代工業(yè)務(wù)蒙上了一層陰影。三星當(dāng)初雄心勃勃地想要超越臺(tái)積電，如今卻陷入了連自家產(chǎn)品都不敢用的尷尬境地。

在成熟工藝方面，三星也面臨著來自中國(guó)大陸廠商的激烈競(jìng)爭(zhēng)。中國(guó)大陸芯片制造商在成熟工藝上的產(chǎn)能不斷提升，并通過價(jià)格戰(zhàn)來?yè)屨际袌?chǎng)份額。三星在這一領(lǐng)域顯得力不從心，難以抵擋中國(guó)大陸廠商的攻勢(shì)。

而在先進(jìn)工藝方面，三星更是難以與臺(tái)積電匹敵。隨著客戶流失，三星的代工業(yè)務(wù)在2024年第三季度出現(xiàn)了顯著下滑，下滑幅度高達(dá)12.4%，成為前十大代工企業(yè)中下滑最多的。三星的市場(chǎng)份額也降至9.3%，這是近年來首次跌破10%的關(guān)口。與此同時(shí)，中芯國(guó)際的市場(chǎng)份額正逐漸逼近三星，兩者之間的差距已縮小至3.3%。

三星在芯片代工領(lǐng)域遭遇的困境，不僅體現(xiàn)在先進(jìn)工藝上的良率問題，還體現(xiàn)在成熟工藝上的市場(chǎng)份額爭(zhēng)奪。面對(duì)來自中國(guó)大陸廠商的激烈競(jìng)爭(zhēng)和臺(tái)積電的強(qiáng)大壓力，三星的代工業(yè)務(wù)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。