臺積電計劃在不久的將來迎來其技術(shù)領(lǐng)域的又一座里程碑——2nm芯片的量產(chǎn)。這一消息不僅標志著半導(dǎo)體制造技術(shù)的又一次飛躍，也預(yù)示著臺積電將面臨前所未有的挑戰(zhàn)。
與以往不同的是，臺積電在2nm節(jié)點上摒棄了老舊的FinFET晶體管技術(shù)，轉(zhuǎn)而采用GAAFET晶體管技術(shù)。這一轉(zhuǎn)變并非偶然，而是基于行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。GAAFET技術(shù)，早已被三星在其3nm制程中采用，然而，三星在該節(jié)點上遭遇了良率問題，其3nm芯片的良率表現(xiàn)不盡如人意，甚至無法自給自足。蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、英偉達等科技巨頭紛紛將3nm芯片的訂單交給了臺積電。
臺積電在2nm制程上采用GAAFET技術(shù)，無疑是一次大膽的嘗試。據(jù)內(nèi)部消息透露，目前臺積電的2nm芯片良率已經(jīng)達到了60%，盡管這一數(shù)據(jù)的真實性尚待驗證。然而，無論真假，這一消息都足以讓業(yè)界對臺積電的技術(shù)實力充滿期待。
臺積電研發(fā)和先進技術(shù)副總裁Geoffrey Yeap近日透露了更多關(guān)于N2制程工藝的細節(jié)。他表示，與3nm相比，2nm芯片在相同電壓下能夠降低24%至35%的功耗，或者在功耗不變的情況下提升15%的性能。這一提升得益于GAAFET技術(shù)更低的閾值電壓，從而降低了漏電功耗。同時，更先進的制程使得晶體管密度比上一代3nm工藝提高了1.15倍，進而提升了性能。
然而，技術(shù)的提升并非沒有代價。據(jù)媒體報道，臺積電3nm的12寸晶圓價格為2萬美元一片，而到了2nm時代，價格將飆升至2.5-3萬美元一片。這意味著，即使性能有所提升，功耗有所降低，但客戶所需承擔(dān)的成本也將大幅增加。最低漲幅達25%，最高甚至可能達到50%。
面對如此高昂的價格，人們不禁要問：為了性能提升15%或功耗降低24-35%，價格上漲50%真的值得嗎？性價比究竟如何？這些問題無疑在業(yè)界引起了廣泛的討論和爭議。隨著芯片工藝的不斷進步，價格越來越高，而實際性能提升卻顯得越來越有限，這不禁讓人對半導(dǎo)體技術(shù)的未來發(fā)展產(chǎn)生了更多的思考。
不可否認的是，高工藝的芯片確實帶來了更高的性能和更低的功耗，但隨之而來的高昂價格也讓許多客戶望而卻步。對于那些利潤率較低的產(chǎn)品而言，采用如此高端的芯片工藝顯然是不現(xiàn)實的。因此，隨著芯片工藝的不斷進步，性價比問題也日益凸顯。這一事實不僅讓業(yè)界對半導(dǎo)體技術(shù)的未來發(fā)展產(chǎn)生了更多的思考，也促使客戶在選擇芯片時更加謹慎和理性。
