【ITBEAR】在半導(dǎo)體工藝邁向22納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)之際，套刻誤差的測量成為關(guān)鍵挑戰(zhàn)。特別是在多重圖形技術(shù)的推動下，對工藝層間套刻精度的要求愈發(fā)嚴(yán)格?；谘苌湓淼腄BO測量技術(shù)，憑借其優(yōu)越的性能，已成為該領(lǐng)域的主流選擇。
為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，東方晶源推出了基于計(jì)算光刻平臺的DBO套刻標(biāo)記仿真優(yōu)化產(chǎn)品——PanOVL。該產(chǎn)品利用先進(jìn)的PanGen OPC和PanGen Sim引擎，結(jié)合GPU+CPU混算及分布式計(jì)算框架，實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模套刻標(biāo)記的高效仿真與優(yōu)化。
PanOVL能夠識別具有較大工藝窗口的套刻標(biāo)記，提供滿足良好信噪比且抗工藝擾動能力強(qiáng)的方案。同時，它還能仿真曝光過程像差對套刻標(biāo)記的影響，使套刻測量結(jié)果更貼近實(shí)際器件情況。
東方晶源的PanOVL產(chǎn)品不僅豐富了其計(jì)算光刻平臺的產(chǎn)品線，還加強(qiáng)了與產(chǎn)業(yè)鏈上下游的合作，為客戶提供更全面的服務(wù)，助力提升晶圓制造能力。
