【ITBEAR】近日，理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司在知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域取得了新突破。該公司成功獲得了一項(xiàng)名為“一種真空腔內(nèi)旋轉(zhuǎn)臺(tái)”的實(shí)用新型專利，該專利的申請(qǐng)日期追溯至今年2月，授權(quán)公告號(hào)為CN 221822325 U。
據(jù)悉，此專利主要應(yīng)用于薄膜沉積技術(shù)，特別是半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備中。其設(shè)計(jì)包括載臺(tái)、中空旋轉(zhuǎn)平臺(tái)及磁流體傳動(dòng)軸，實(shí)現(xiàn)了真空環(huán)境下的物料旋轉(zhuǎn)功能。該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的特點(diǎn)在于其高效的密封性、易于維修、成本低廉，并能適應(yīng)大負(fù)載及提高抗偏載能力。
