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紅旗新突破!1700V碳化硅技術(shù),5分鐘閃充要來(lái)了?

   時(shí)間:2024-10-18 11:36:22 來(lái)源:ITBEAR作者:楊凌霄編輯:瑞雪 發(fā)表評(píng)論無(wú)障礙通道

【ITBEAR】近日,紅旗宣布成功研發(fā)出首款1700V超高壓碳化硅功率器件樣件,這一創(chuàng)新成果有望顯著緩解用戶在駕駛過(guò)程中的充電焦慮和里程焦慮問(wèn)題。該功率器件的開(kāi)發(fā)為未來(lái)適應(yīng)“千伏”以上高壓架構(gòu)的應(yīng)用,以及實(shí)現(xiàn)5分鐘快速充電補(bǔ)能奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

據(jù)悉,這款功率器件搭載了國(guó)產(chǎn)先進(jìn)的1700V車(chē)規(guī)級(jí)超高壓碳化硅芯片,并創(chuàng)新性地應(yīng)用了高介電強(qiáng)度封裝材料和高耐壓封裝結(jié)構(gòu)等技術(shù)。測(cè)試結(jié)果顯示,該器件的最高母線電壓可達(dá)到1200V,這一技術(shù)突破將助力補(bǔ)能系統(tǒng)向超高壓平臺(tái)升級(jí),極大縮短充電時(shí)間。

通過(guò)結(jié)合高密度元胞并聯(lián)和短溝道元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、高通流銅夾互聯(lián)和高耐溫銀燒結(jié)工藝等先進(jìn)技術(shù),這款碳化硅功率器件在超高壓平臺(tái)下展現(xiàn)出了低損耗與高電流輸出的綜合性能優(yōu)勢(shì)。這不僅有效提升了動(dòng)力系統(tǒng)的功率密度和效率,還確保了器件在高壓、高溫環(huán)境下的穩(wěn)定高效運(yùn)行。

對(duì)用戶而言,這意味著更加澎湃強(qiáng)勁的駕駛體驗(yàn),同時(shí)也在最大程度上節(jié)約了整車(chē)電耗,提升了續(xù)駛里程。

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