iPhone16快充再升級(jí)，氮化鎵芯片火了？

前言

iPhone16全系列已在9月10日正式發(fā)布，但這次發(fā)布會(huì)對(duì)于該系列的充電功率并沒有提及，網(wǎng)上也在眾說紛紜，充電頭網(wǎng)實(shí)測(cè)，iPhone 16和16 Pro充電功率為25-27W，16 Plus和16 Pro Max充電功率為30-33W，峰值可以達(dá)到36-38.9W。

基于此次iPhone16系列的充電升級(jí)，充電頭網(wǎng)匯總了支持30W-36W最大功率的合封氮化鎵芯片，合封氮化鎵芯片將氮化鎵功率器件、PWM控制、驅(qū)動(dòng)、保護(hù)等功能整合在一顆芯片上，一顆芯片即可實(shí)現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，可提升整體方案的性能，還有助于減少PCB板的占用空間、縮小產(chǎn)品尺寸，并削減物料成本。通過采用合封氮化鎵芯片可開發(fā)出功率密度更高，性價(jià)比更高更加小巧并符合iPhone 16代要求的充電器。

30W-36W合封氮化鎵匯總

充電頭網(wǎng)已將匯總的多款支持最大功率在30W-36W的合封氮化鎵芯片列成下表所示，詳細(xì)展示了相關(guān)型號(hào)與相關(guān)參數(shù)特點(diǎn)。

排名不分先后，按企業(yè)英文首字母排序。

BPS晶豐明源晶豐明源BP87625

BP87625 是一款應(yīng)用于 AC/DC 反激變換器的原邊驅(qū)動(dòng)開關(guān)，內(nèi)置 650V GaN，集成高壓自供電，集成 VCC 電容，適用于全電壓輸入33W 輸出雙繞組變壓器的反激變換器應(yīng)用。

BP87625 采用頻率調(diào)制技術(shù)，可以達(dá)到優(yōu)異的 EMI 性能。BP87625 內(nèi)置多種保護(hù)，包括逐周期限流、輸出短路保護(hù)、CS 引腳開路保護(hù)、次級(jí)整流管開路保護(hù)、反饋環(huán)開路保護(hù)，過溫保護(hù)等，以及較低的輸出短路功耗使系統(tǒng)更加安全可靠。BP87625 采用 ESOP-5 封裝。

Chipown芯朋微芯朋微PN8782

芯朋微PN8782系列有兩種型號(hào)，分別是PN8782SX-A1以及PN8782SX-B1，PN8782SX-A1內(nèi)部集成700V/470mΩ GaN FET，適用于30W功率應(yīng)用；而PN8782SX-B1內(nèi)部集成700V/1000mΩ GaN FET，適用于25W功率應(yīng)用。

芯朋微PN8782是一款內(nèi)置高壓GaN和高壓?jiǎn)?dòng)電路的高頻準(zhǔn)諧振AC-DC轉(zhuǎn)換器芯片，可根據(jù)輸入電壓、輸出電壓和負(fù)載自適應(yīng)切換模式，實(shí)現(xiàn)了全負(fù)載范圍內(nèi)的高效率和低功耗，同時(shí)避免了開關(guān)變換器進(jìn)入CCM模式工作，降低次級(jí)整流管的電壓應(yīng)力。頻率調(diào)制技術(shù)和Soft-Driver技術(shù)充分保證系統(tǒng)良好的EMI表現(xiàn)。

芯朋微PN8782空載待機(jī)功耗小于55mW，并內(nèi)置多種保護(hù)機(jī)制，采用SOP7/PP封裝，適用于手機(jī)充電器等領(lǐng)域。

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CPS易沖半導(dǎo)體易沖CPS9050X

CXW 誠芯微誠芯微CX75GD048H

CX75GD048H是一款集成高壓 GaNFET功率器件高頻高性能準(zhǔn)諧振式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)，應(yīng)用于36W內(nèi)高性能、低待機(jī)功率、低成本、高效率的隔離型反激式開關(guān)電源。

CX75GD048H的工作頻率最高可達(dá)130KHZ，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式，在輕載時(shí)則會(huì)工作于burst模式以提升效率,將23kHz以下的音調(diào)能量降至最低，并在操作過程中消除音頻噪聲。

CX75GD048H提供了優(yōu)良的電磁干擾性能,為需要超低待機(jī)功耗的高性價(jià)比反激式開關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個(gè)很好的設(shè)計(jì)平臺(tái)。

DK 東科東科DK80xxAP

東科DK80xxAP系列是一款款高度集成了 700V GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片，這系列共有DK8012AP、DK8020AP、DK8025AP、DK8035AP四款型號(hào)，適用于12W至30W功率應(yīng)用。

DK80xxAP系列芯片支持200KHz開關(guān)頻率，待機(jī)功耗極低，小于50mW，采用QR工作模式，內(nèi)置谷底檢測(cè)電路、谷底鎖定電路、退磁檢測(cè)電路、抖頻電路、高低壓輸入功率補(bǔ)償電路等，可有效減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾。這款芯片內(nèi)置完善的保護(hù)機(jī)制，采用ESOP-7封裝，適用于高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品，可極大簡(jiǎn)化反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造。

東科DK035G

東科DK035G氮化鎵合封芯片效率最高可達(dá)93%，最高支持250KHz開關(guān)頻率，待機(jī)功耗低于50mW，內(nèi)置高低壓輸入功率補(bǔ)償電路，內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)，采用PDFN5*6封裝，適用于氮化鎵快充，電源適配器以及輔助電源應(yīng)用。

東科DK8135AP

DK8135AP 是一款集成了 700V/600mΩGaN HEMT 的 AC-DC 電源管理功率開關(guān)芯片,此 IC 帶有恒功率功能并且工作在準(zhǔn)諧振模式，提高電源系統(tǒng)效率。DK8135AP 極大的簡(jiǎn)化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。

ETA鈺泰鈺泰ETA80G3X

ETA80G3X系列有兩種型號(hào)，分別是ETA80G36和ETA80G38，兩款型號(hào)區(qū)別在于導(dǎo)阻不同，ETA80G36內(nèi)置550mΩ/650V GaN，適用于30W應(yīng)用；而ETA80G38內(nèi)置420mΩ/650V GaN，適用于36W應(yīng)用。

該系列是一款高性能PWM轉(zhuǎn)換器芯片，內(nèi)部集成一個(gè)高可靠性和高穩(wěn)定性的 D-MODE GaN 功率 MOSFET。ETA80G3X 采用準(zhǔn)諧振和頻率折返技術(shù)，以減少 EMI 并提高平均效率，滿足最新的 VI 級(jí)效率標(biāo)準(zhǔn)，且具有足夠的裕量，待機(jī)功耗低于 75mW。

該系列芯片還是一款多模式 DCM/QR 轉(zhuǎn)換器，具有突發(fā)模式、PFM/PWM 模式、恒功率 (CP) 模式和恒流 (CC) 模式。通過最高 110kHz 的工作頻率和 QR 控制方法，ETA80G3X 適用于小尺寸反激轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。在無負(fù)載和輕負(fù)載條件下，它以突發(fā)模式運(yùn)行，以最小化開關(guān)損耗。其突發(fā)模式操作能夠?qū)崿F(xiàn)低待機(jī)功耗和小的輸出電壓波動(dòng)。通過光耦合器和次級(jí)側(cè)控制電路，它實(shí)現(xiàn)了非常低的待機(jī)功耗、良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)和精確的電壓調(diào)節(jié)。

由于其 7-77V 的寬 VCC 工作電壓范圍和自動(dòng)環(huán)路增益補(bǔ)償，ETA80G3X 專為寬輸出電壓范圍的低成本反激轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如 PD 或 QC 適配器系統(tǒng)。

ETA80G3X 集成了全面的保護(hù)功能。在過溫、線路過壓/欠壓、輸出過壓/欠壓、繞組短路、電流檢測(cè)電阻短路/開路和輸出短路情況下，它會(huì)進(jìn)入自動(dòng)重啟操作。逐周期電流限制確保即使在故障模式和恢復(fù)期間也能安全運(yùn)行。

ICM 創(chuàng)芯微創(chuàng)芯微CM1777GA

CM1777GA 是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能高工作頻率的準(zhǔn)諧振模式 AC-DC 轉(zhuǎn)換芯片，芯片支持 7 到 60V 的 VDD 供電，可輕松滿足 PD 快充電源的寬電壓輸出要求。

CM1777GA 可根據(jù)輸入電壓，輸出電壓以及負(fù)載的不同，控制系統(tǒng)工作于DCM/QR 模式，在輕載時(shí)則會(huì)工作于 burst 模式以實(shí)現(xiàn)全電壓范圍、全負(fù)載段的效率最優(yōu)，且待機(jī)功耗低于75mV 滿足六級(jí)能效要求。芯片內(nèi)置有高精度120KHz 的開關(guān)頻率振蕩器，且內(nèi)置有專利的頻率抖動(dòng)和驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)，優(yōu)化了系統(tǒng) EMI 性能。

創(chuàng)芯微CM1777G

CM1777G是一款針對(duì)離線式反激變換器的準(zhǔn)諧振AC-DC轉(zhuǎn)換芯片，內(nèi)置650VGaN，支持為7至60V的VDD供電，支持85-264V的輸入交流電壓，采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式，可以在不同工作負(fù)載和條件下實(shí)現(xiàn)最佳的能效和性能，輕松滿足PD快充電源的寬電壓輸出要求。

CM1777G可根據(jù)輸入電壓，輸出電壓以及負(fù)載的不同，控制系統(tǒng)工作于DCM/QR模式，在輕載時(shí)會(huì)工作于burst模式以實(shí)現(xiàn)全電壓范圍、全負(fù)載段的效率最優(yōu)，并在操作過程中消除音頻噪聲。CM1777G具備超低啟動(dòng)功耗，小于5μA，且其待機(jī)功耗低于75mV，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)要求。在空載狀態(tài)下，其功耗在230V電壓下低于75mW。芯片內(nèi)置有高精度130kHz的開關(guān)頻率振蕩器，且內(nèi)置有專利的頻率抖動(dòng)和驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)，優(yōu)化了系統(tǒng)EMI性能。

CM1777G集成軟啟動(dòng)電路，以緩解啟動(dòng)過程中對(duì)電路和元件的沖擊，并內(nèi)置了多種保護(hù)機(jī)制，包括過壓、過載和過溫保護(hù)。它還具備逐周期電流限制功能，為系統(tǒng)提供了全面的電源管理和保護(hù)。CM1777G采用ESOP7封裝，適用于35W的應(yīng)用功率，廣泛應(yīng)用于充電器、反激式變換器等領(lǐng)域之中。

ISMARTWARE智融智融SW111x

智融SW111x系列共有十款型號(hào)，分別是SW1112、SW1113、SW1115、SW1116、SW1118以及他們各自帶J后綴的型號(hào)，帶J后綴的型號(hào)跟不帶的J后綴型號(hào)的區(qū)別即封裝由ESOP8變?yōu)镋SOP7，其余一致，為客戶帶來更多選擇。

SW111x系列是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能高集成度準(zhǔn)諧振電流模式PWM 變換器。芯片以超寬 VDD 供電范圍滿足 PD 適配器的寬輸出應(yīng)用要求。

SW1112、SW1113集成650V高壓氮化鎵功率管，而SW1115、SW1116、SW1118集成700V高壓氮化鎵功率管，這系列芯片集成頻率抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)能力動(dòng)態(tài)調(diào)整功能以優(yōu)化EMI性能通過工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式開降低開關(guān)損耗,在空載和輕載時(shí),切換至BURST模式工作以優(yōu)化輕載效率。

芯片集成完備的保護(hù)功能，包括 Brown-out保護(hù)、VDD欠壓保護(hù)(UVO)、VDD過壓保護(hù)(VDDOVP)輸出過壓保護(hù)(OVP)、輸出欠壓保護(hù)(UVP)、逐周期電流限制(ILIMIT)過載保護(hù)(OLP)、輸出電流過流保護(hù)(LPS)、CS 開路保護(hù)、芯片過溫保護(hù)(OTP)等。

JOULWATT杰華特杰華特JW15156D

JW15156D 包含一個(gè)高壓引腳用于啟動(dòng)，以消除傳統(tǒng)的啟動(dòng)電阻并節(jié)省待機(jī)模式的能耗。JW15156D 采用 PVDFN5*6-8 封裝。高度集成的設(shè)計(jì)提供了易于使用、低元件數(shù)和高效率的隔離電源傳輸解決方案。

杰華特JW15158D

JW15158D 在不同的輸入和負(fù)載條件下結(jié)合 PWM 和 PFM 控制，以實(shí)現(xiàn)最高的平均效率。它能夠符合最嚴(yán)格的效率法規(guī)。

JW15158D 包含一個(gè)高壓引腳用于啟動(dòng)，以消除傳統(tǒng)的啟動(dòng)電阻并節(jié)省待機(jī)模式的能耗。JW15158D 采用 HSOP-7 封裝。高度集成的設(shè)計(jì)提供了易于使用、低元件數(shù)和高效率的隔離電源傳輸解決方案。

Kiwi Instruments 必易微必易微KP2208XB

KP2208XB 是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mw 的超低待機(jī)功耗。

KP2208XB 的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng) EMI性能。

KP2208XB 集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定可靠工作。

KP2208XB 集成有完備的保護(hù)功能，包括:VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、VDD 過壓保護(hù)(VDD OVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、輸出過壓保護(hù)(OVP)、輸出欠壓保護(hù)(UVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(hù)(AOCP)、內(nèi)置過熱保護(hù)(OTP)、前沿消隱(LEB)、CS 管腳開路保護(hù)等。

Lii Semiconductor 力生美力生美LIC3514G

Llc3514G是一款新一代高性能、高集成度的電流模式PSR電源開關(guān)IC，適用于峰值功率高達(dá)30W的應(yīng)用。它具有高精度恒流和恒壓控制，優(yōu)化的谷底開關(guān)技術(shù)，和高達(dá)100kHz的開關(guān)頻率，使其能夠?qū)崿F(xiàn)低至30mW的待機(jī)功耗和高轉(zhuǎn)換效率，滿足CoV5和DoE LEVEL VI的能效標(biāo)準(zhǔn)。

該芯片的多段曲線控制模式可以優(yōu)化系統(tǒng)在不同負(fù)載下的轉(zhuǎn)換效率，尤其是在輕載條件下表現(xiàn)出色。低頻啟動(dòng)特性和軟鉗位門驅(qū)動(dòng)控制進(jìn)一步減少了啟動(dòng)和高壓開關(guān)的干擾，而主動(dòng)門斜率控制則顯著改善了開關(guān)干擾水平，使系統(tǒng)更具EMI友好性。

LIC3514G內(nèi)置高壓GaN功率開關(guān)和緩沖二極管，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，外圍設(shè)備少，并提供全面的保護(hù)電路，包括逐周期電流限制、過流保護(hù)、過壓保護(hù)和欠壓鎖定等。其線性輸出電纜電壓降補(bǔ)償功能確保負(fù)載下的輸出電壓精度，提供高達(dá)0.15V的補(bǔ)償范圍。該芯片現(xiàn)以無鹵素ASOP8綠色封裝提供。

力生美LIC3513D

LIC3513D是一款新一代高性能、高度集成的電流模式PSR電源開關(guān)集成電路。它能輕松實(shí)現(xiàn)低待機(jī)功耗，最低可降至30mW或更低，同時(shí)具備高效率轉(zhuǎn)換和低功耗特性，以滿足CoC V5和DoE LEVEL VI的能效標(biāo)準(zhǔn)，適用于峰值功率高達(dá)30W的應(yīng)用場(chǎng)景。

該芯片提供高性能的PSR主控CC/CV開關(guān)電源解決方案，內(nèi)置高精度的恒流和恒壓控制，采用優(yōu)化的谷點(diǎn)開關(guān)技術(shù)，全范圍內(nèi)輸出電流精度誤差優(yōu)于±3%，輸出電壓精度誤差優(yōu)于±2%。

MERAKI 茂睿芯茂睿芯MK2787

為了在不同負(fù)載下實(shí)現(xiàn)從通用線路的高效率，MK2787能夠自適應(yīng)地在DCM/QR模式下運(yùn)行。在輕負(fù)載時(shí)，它將以Burst模式工作以提高效率。

茂睿芯MK2787S

為了在不同負(fù)載下實(shí)現(xiàn)從通用線路的高效率，MK2787S能夠自適應(yīng)地在DCM/QR模式下運(yùn)行。在輕負(fù)載時(shí)，它將以Burst模式工作以提高效率。

茂睿芯MK2788

MK2788采用DFN5x6封裝，適用于快充適配器等領(lǐng)域。

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MIX-DESIGN美思半導(dǎo)體美思MSG751X

美思半導(dǎo)體MSG751X系列電源芯片具備18W-66W輸出功率，充分滿足不同功率段快充選型要求，實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)化。

美思半導(dǎo)體的SimpleGaN系列快充電源芯片內(nèi)部集成650V高性能氮化鎵器件，內(nèi)置第二代Smart-feedback數(shù)字控制模塊，無需外圍環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。支持高通QC3.0 3.3-21V輸出，滿足20mV輸出的PPS電壓步進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)，初級(jí)內(nèi)置MTK PE快充協(xié)議。專為USB PD快充等寬輸出電壓的快充應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用SOP13封裝，對(duì)于大規(guī)模量產(chǎn)，提升生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本具有無可比擬的優(yōu)勢(shì)。此次推出的SimpleGaN系列中的MSG7517最高支持66W的輸出功率。

美思半導(dǎo)體SimpleGaN系列初級(jí)芯片內(nèi)置峰值電流模式控制的反激控制器，具有高性能，低EMI，低待機(jī)功耗以及保護(hù)功能全面等優(yōu)勢(shì)。初級(jí)芯片可實(shí)現(xiàn)多級(jí)恒壓恒流輸出，無需傳統(tǒng)的次級(jí)反饋電路，有效的節(jié)省了外圍器件的數(shù)量，并提高了系統(tǒng)整體的穩(wěn)定性。

美思MSG680x

SimpleTOP?平臺(tái)是一款新一代的AC/DC電源控制系統(tǒng)，具有高性能和超高度集成的嵌入式智能架構(gòu)，專為快充解決方案設(shè)計(jì)。它只需一個(gè)芯片即可集成快充系統(tǒng)的所有功能。這是一款采用高度智能化數(shù)字技術(shù)設(shè)計(jì)的AC-DC快充電源芯片，通過極少的外部元件即可設(shè)計(jì)出高性能的快充電源系統(tǒng)。

SimpleTOP平臺(tái)包含兩個(gè)產(chǎn)品系列，即內(nèi)置GaN器件的SimpleGaN?系列和內(nèi)置MOSFET器件的SimpleFET?系列，以便客戶更輕松、低成本地構(gòu)建高性能的快充電源系統(tǒng)。SimpleTOP平臺(tái)支持豐富的快充協(xié)議，包括PD3.1、UFCS、QC2.0/3.0/3.0+、MTK-PE+、SFCP，以及其他專有協(xié)議如SCP、AFC和APPLE 2.4A等。由于數(shù)字智能架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，我們可以輕松為客戶提供定制的專有協(xié)議。

On-Bright昂寶昂寶OB2734x

在滿載條件下，無論是低線輸入還是高線輸入，它都在谷底開關(guān)準(zhǔn)諧振 (QR) 模式下工作。當(dāng)負(fù)載較低時(shí)，它在 PFM 模式下運(yùn)行，以實(shí)現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)負(fù)載非常小時(shí)，IC 以“擴(kuò)展突發(fā)模式”運(yùn)行，以最小化待機(jī)功耗損失。結(jié)果，在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率。在高 AC 線輸入條件下，它采用 On-Bright 專有技術(shù)在強(qiáng)制準(zhǔn)諧振 (QR) 谷底開關(guān)模式下工作，以實(shí)現(xiàn)出色的 EMI 性能。

OB2734x 提供了完整的保護(hù)功能，包括逐周期電流限制 (OCP)、過載保護(hù) (OLP)、內(nèi)部過溫保護(hù) (OTP)、輸出短路保護(hù) (SCP) 以及輸出和 VDD 過壓保護(hù)。通過 On-Bright 專有的頻率抖動(dòng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了卓越的 EMI 性能。20kHz 以下的音調(diào)能量被最小化，以避免運(yùn)行期間的音頻噪聲。OB2734x 采用 ASOP6 封裝。

昂寶OB2735x

在滿載條件下，無論是低線輸入還是高線輸入，它都在谷底開關(guān)準(zhǔn)諧振 (QR) 模式下工作。當(dāng)負(fù)載較低時(shí)，它在 PFM 模式下運(yùn)行，以實(shí)現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)負(fù)載非常小時(shí)，IC 以“擴(kuò)展突發(fā)模式”運(yùn)行，以最小化待機(jī)功耗損失。結(jié)果，在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率。在高 AC 線輸入條件下，它采用 On-Bright 專有技術(shù)在強(qiáng)制準(zhǔn)諧振 (QR) 谷底開關(guān)模式下工作，以實(shí)現(xiàn)出色的 EMI 性能。

OB2735x 提供了完整的保護(hù)功能，包括逐周期電流限制 (OCP)、過載保護(hù) (OLP)、內(nèi)部過溫保護(hù) (OTP)、輸出短路保護(hù) (SCP) 以及輸出和 VDD 過壓保護(hù)。通過 On-Bright 專有的頻率抖動(dòng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了卓越的 EMI 性能。20kHz 以下的音調(diào)能量被最小化，以避免運(yùn)行期間的音頻噪聲。OB2735x 采用 Lsop8-7 封裝。

Reactor-Micro亞成微亞成微RM6528NS

RM6528NS是一款內(nèi)置高壓GaNFET,高性能高可靠性電流控制型 PWM 開關(guān)控制芯片,支持谷底檢測(cè)開通功能，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。

RM6528NS 采用低電流啟動(dòng)模式及低工作電流，減少待機(jī)損耗。芯片內(nèi)置多種工作模式，在輕載及空載情況下，芯片進(jìn)入Burst mode 模式，消除變壓器的音頻噪音，提高轉(zhuǎn)換效率；在重載情況下，電路進(jìn)入 QR 模式。內(nèi)部集成斜坡補(bǔ)償模塊，有利于系統(tǒng)閉環(huán)反饋回路的穩(wěn)定性，減小了輸出紋波電壓。

芯片外置 OVP 保護(hù)功能，可以通過 VSET管腳的上下拉電阻分壓設(shè)置 OVP 保護(hù)限值，以滿足不同條件的用戶需求。芯片內(nèi)部集成多種異常狀態(tài)保護(hù)功能，包括 VDD 欠壓保護(hù)及過壓保護(hù)，過載保護(hù)，CS 過流和懸空保護(hù)，過溫保護(hù)功能。在電路發(fā)生異常時(shí)，芯片進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)并自動(dòng)重啟檢測(cè)，直至異常解除為止，輸出正常。

亞成微RM6524ND

RM6524ND是一款內(nèi)置高壓GaNFET,高性能高可靠性電流控制型 PWM 開關(guān)控制芯片，支持谷底檢測(cè)開通功能，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。

RM6524ND 采用低電流啟動(dòng)模式及低工作電流，減少待機(jī)損耗。芯片內(nèi)置多種工作模式，在輕載及空載情況下，芯片進(jìn)入Burst mode 模式，消除變壓器的音頻噪音，提高轉(zhuǎn)換效率；在重載情況下，電路進(jìn)入 QR 模式。內(nèi)部集成斜坡補(bǔ)償模塊，有利于系統(tǒng)閉環(huán)反饋回路的穩(wěn)定性，減小了輸出紋波電壓。

芯片外置 OVP 保護(hù)功能，可以通過 VSET管腳的上下拉電阻分壓設(shè)置 OVP 保護(hù)限值，以滿足不同條件的用戶需求。芯片內(nèi)部集成多種異常狀態(tài)保護(hù)功能，包括 VDD 欠壓保護(hù)及過壓保護(hù)，過載保護(hù)，CS 過流和懸空保護(hù)，過溫保護(hù)功能。在電路發(fā)生異常時(shí)，芯片進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)并自動(dòng)重啟檢測(cè)，直至異常解除為止，輸出正常。

Si-power硅動(dòng)力硅動(dòng)力SP9684E

SP9684E是一款集成GaN功率器件的高頻準(zhǔn)諧振反激控制器，適合設(shè)計(jì)在離線式 USB-PD 和USB Type-C 等快速充電器和電源供應(yīng)器方案，待機(jī)功耗小于 75mW。

芯片內(nèi)置精確的初級(jí)限流電路，在輸出電壓在 PD/PPS 調(diào)節(jié)時(shí)，保證恒定的輸出限流，容易滿足安規(guī)的 LPS 要求。在滿載輸出時(shí)，IC 在谷底鎖定模式下工作；確保高頻下，頻率變化范圍小，提高效率；當(dāng)負(fù)載減輕，進(jìn)入無谷底鎖定模式時(shí)，IC 進(jìn)入快速頻率折返模式，減少開關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率；當(dāng)負(fù)載進(jìn)一步減輕時(shí)，IC 工作在跳頻 Burst 模式;采用這種控制方式，在全負(fù)載范圍內(nèi)，提升電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率，滿足能效要求。

硅動(dòng)力SP9674E

SP9674E是一款集成GaN功率器件的高頻準(zhǔn)諧振反激控制器，適合設(shè)計(jì)在離線式 USB-PD 和USB Type-C 等快速充電器和電源供應(yīng)器方案，待機(jī)功耗小于 75mW。

芯片內(nèi)置精確的初級(jí)限流電路，在輸出電壓在 PD/PPS 調(diào)節(jié)時(shí)，保證恒定的輸出限流，容易滿足安規(guī)的 LPS 要求。在滿載輸出時(shí)，IC 在谷底鎖定模式下工作；確保高頻下，頻率變化范圍小，提高效率；當(dāng)負(fù)載減輕，進(jìn)入無谷底鎖定模式時(shí)，IC 進(jìn)入快速頻率折返模式，減少開關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率；當(dāng)負(fù)載進(jìn)一步減輕時(shí)，IC 工作在跳頻 Burst 模式;采用這種控制方式，在全負(fù)載范圍內(nèi)，提升電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率，滿足能效要求。

SOUTHCHIP 南芯南芯SC3055A

此轉(zhuǎn)換器還內(nèi)置了用于供應(yīng)VDD電源的段電源電路，特別適用于廣范圍輸出電壓的應(yīng)用。SC3055A提供全面的保護(hù)功能，以防止在異常條件下電路受損。其頻率抖動(dòng)和智能驅(qū)動(dòng)功能的特點(diǎn)可以最大程度地減少噪音并提升EMI性能。

南芯SC3056

SC3056提供自適應(yīng)開關(guān)頻率折返功能，能夠在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率。它在準(zhǔn)諧振和不連續(xù)導(dǎo)通模式下運(yùn)行，使用谷值開關(guān)以提高效率。在無負(fù)載時(shí)，芯片將進(jìn)入突發(fā)模式，以降低功耗。

SPMICRO 三浦微三浦微SP280X

SP280X是一款高頻、高性能的準(zhǔn)諧振電流模式功率開關(guān)，集成了GaN FET，用于AC-DC轉(zhuǎn)換器。它集成了高壓?jiǎn)?dòng)電路，可以實(shí)現(xiàn)快速啟動(dòng)功能和超低的運(yùn)行電流，待機(jī)功耗小于30mV。

SP280X的最大開關(guān)頻率可以達(dá)到220kHz，它可以在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)以QR模式運(yùn)行。SP280X還集成了峰值電流抖動(dòng)和可調(diào)驅(qū)動(dòng)電流功能，可以極大優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能。

SP280X共有三款型號(hào)，分別是SP2802、SP2803、SP2804，具體區(qū)別上圖所示。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類電源產(chǎn)品中的大規(guī)模商用，充電器的效率得到優(yōu)化，體積得到大幅降低，便攜性更好，深受消費(fèi)者青睞。而合封氮化鎵芯片的出現(xiàn)，從根本上解決了氮化鎵功率器件在控制、驅(qū)動(dòng)方面的難題，簡(jiǎn)化了快充電源的設(shè)計(jì)，并降低電源廠商的成本。隨著市場(chǎng)對(duì)高效、便攜的充電器需求將持續(xù)增長(zhǎng)。

此次iPhone16系列手機(jī)在快充上面進(jìn)行了一點(diǎn)升級(jí)，開發(fā)商在設(shè)計(jì)和生產(chǎn)充電器時(shí)，可以借鑒本文匯總的眾多合封氮化鎵芯片，打造符合用戶需求、具備競(jìng)爭(zhēng)力且成本效益高的產(chǎn)品。