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追趕時代步伐:俄羅斯斥2400億盧布,力求2030年實現(xiàn)半導(dǎo)體65nm國產(chǎn)化及70%替代率

   時間:2024-10-04 19:20:31 來源:ITBEAR作者:陸辰風(fēng)編輯:瑞雪 發(fā)表評論無障礙通道

【ITBEAR】俄羅斯正致力于實現(xiàn)電子產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備的進口替代,目標(biāo)是在2030年前達成65nm技術(shù)國產(chǎn)化,并替代70%的外國半導(dǎo)體制造設(shè)備及材料。

該計劃涉及啟動多達110個研發(fā)項目,旨在減少對進口晶圓制造工具的依賴,并力求最終能運用28nm級工藝技術(shù)來制造芯片。目前,俄羅斯已投入超過2400億盧布以支持這一宏偉計劃。

盡管面臨國際制裁,導(dǎo)致關(guān)鍵半導(dǎo)體設(shè)備獲取成本上升,俄羅斯仍堅持推進自主研發(fā)。現(xiàn)有的俄羅斯芯片制造商如Angstrem和Mikron,主要集中在65nm或90nm等成熟制程節(jié)點。在400種芯片制造工具中,本土制造占比僅為12%。

新的計劃不僅涵蓋實際制造工具,還包括原材料和電子設(shè)計自動化工具的開發(fā)。這將助力俄羅斯在多個微電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破,從180nm到28nm的制程技術(shù)都將得到探索與發(fā)展。

若計劃順利,到2030年,俄羅斯將能自主生產(chǎn)65nm或90nm制程的光刻系統(tǒng),大幅提升其微電子產(chǎn)品的生產(chǎn)能力,盡管這仍意味著與國際領(lǐng)先水平存在顯著差距。

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