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全球晶圓制造大躍進(jìn):未來三年12英寸廠設(shè)備投資或達(dá)4000億美元!

   時(shí)間:2024-09-27 16:04:31 來源:ITBEAR作者:趙云飛編輯:瑞雪 發(fā)表評(píng)論無障礙通道

【ITBEAR】9月27日消息,全球半導(dǎo)體行業(yè)正迎來前所未有的投資熱潮。據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI最新報(bào)告指出,2025年至2027年間,全球在300毫米(即12英寸)晶圓廠制造設(shè)備上的投資總額預(yù)計(jì)將高達(dá)4000億美元,折合人民幣約2.8萬億元。

這一投資熱潮顯示出全球?qū)π酒枨蟮某掷m(xù)增長(zhǎng),推動(dòng)了針對(duì)人工智能應(yīng)用的前沿技術(shù),以及由汽車和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用所驅(qū)動(dòng)的成熟技術(shù)的設(shè)備支出。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官阿吉特·馬諾查表示,2025年全球300毫米晶圓廠設(shè)備支出的預(yù)期增長(zhǎng)將為創(chuàng)紀(jì)錄的三年期半導(dǎo)體制造投資奠定基礎(chǔ)。

從細(xì)分市場(chǎng)來看,邏輯芯片領(lǐng)域?qū)⒊蔀樽畲蟮耐顿Y熱點(diǎn),預(yù)計(jì)未來三年內(nèi)相關(guān)12英寸晶圓廠的投資將達(dá)到1730億美元。緊隨其后的是存儲(chǔ)領(lǐng)域,其中DRAM和3D NAND的設(shè)備投資預(yù)計(jì)將分別超過75億美元和450億美元。電源相關(guān)領(lǐng)域也將迎來顯著增長(zhǎng),累計(jì)投資額有望超過300億美元,特別是化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,預(yù)計(jì)將占據(jù)近一半的份額,達(dá)到140億美元。

在地區(qū)分布方面,中國(guó)大陸預(yù)計(jì)將在這波投資熱潮中占據(jù)領(lǐng)先地位,三年內(nèi)累計(jì)投資額有望超過1000億美元。韓國(guó)則因存儲(chǔ)周期的推動(dòng)和HBM需求的旺盛,以810億美元的投資額位列第二。這兩個(gè)地區(qū)的強(qiáng)勁投資勢(shì)頭將進(jìn)一步推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

總的來說,全球半導(dǎo)體行業(yè)正迎來一個(gè)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的持續(xù)增長(zhǎng),預(yù)計(jì)未來幾年內(nèi),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將保持強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭,為全球經(jīng)濟(jì)的發(fā)展注入新的活力。

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