【ITBEAR】9月27日消息，SK海力士宣布已成功實(shí)現(xiàn)全球首次的12層堆疊HBM3E芯片量產(chǎn)，此舉刷新了HBM產(chǎn)品的最大容量紀(jì)錄，高達(dá)36GB的存儲(chǔ)容量令人矚目。相較于傳統(tǒng)的8層產(chǎn)品，新款12層芯片在保持相同物理厚度的同時(shí)，存儲(chǔ)容量提升了驚人的50%。
這一技術(shù)飛躍的背后，是SK海力士在DRAM芯片制造工藝方面的重大突破。公司不僅將芯片厚度減少了40%，更運(yùn)用了先進(jìn)的硅通孔(TSV)技術(shù)，使得芯片能夠垂直堆疊，從而大幅提升了存儲(chǔ)容量。
在堆疊更多層數(shù)的同時(shí)，SK海力士也面臨著結(jié)構(gòu)性挑戰(zhàn)。然而，憑借其核心的先進(jìn)MR-MUF工藝，公司成功提升了產(chǎn)品的散熱性能，增幅達(dá)10%，并有效控制了芯片翹曲問題，從而確保了新款HBM3E芯片的穩(wěn)定性和可靠性。
新款12層HBM3E芯片在性能上達(dá)到了業(yè)界頂尖水平。其運(yùn)行速度可高達(dá)9.6Gbps，這使得它非常適合運(yùn)行大型語言模型，例如Llama 3 70B。在實(shí)際應(yīng)用中，該芯片每秒可讀取35次700億個(gè)參數(shù)，展現(xiàn)出強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理能力。
自2013年推出第一代HBM產(chǎn)品以來，SK海力士一直保持著在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。如今，隨著12層HBM3E芯片的量產(chǎn)，公司不僅滿足了人工智能企業(yè)對(duì)高性能存儲(chǔ)器的迫切需求，更進(jìn)一步鞏固了其在AI存儲(chǔ)器市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
市場對(duì)SK海力士的這一重大技術(shù)突破反應(yīng)熱烈。近期，公司在韓國市場的股價(jià)上漲超過8%，市值更是達(dá)到了120.34萬億韓元，充分顯示出投資者對(duì)公司未來發(fā)展前景的樂觀預(yù)期。
總的來說，SK海力士通過不斷創(chuàng)新和技術(shù)突破，再次引領(lǐng)了HBM產(chǎn)品的發(fā)展潮流，為人工智能等領(lǐng)域的發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支持。
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