上海交通大學無錫光子芯片研究院近日宣布，國內(nèi)首條光子芯片中試線已在無錫正式投入使用。這一里程碑式的進展標志著我國在光子芯片領(lǐng)域邁出了重要一步，有望打破國外技術(shù)壟斷，推動國內(nèi)信息技術(shù)的革新與發(fā)展。
光子芯片作為新一代信息技術(shù)的核心組件，其傳輸速度快、能耗低的優(yōu)勢在新一輪科技革命中愈發(fā)凸顯。然而，國內(nèi)光子芯片行業(yè)長期以來面臨著中試平臺缺失、技術(shù)壁壘高筑等難題，嚴重制約了科技創(chuàng)新成果的轉(zhuǎn)化效率。為此，上海交大無錫光子芯片研究院挺身而出，率先布局了這條高端光子芯片中試線。
該中試平臺占地17000平方米，不僅配備了超過100臺國際頂尖的CMOS工藝設(shè)備，更實現(xiàn)了從光刻到封裝的全流程閉環(huán)工藝，覆蓋了薄膜鈮酸鋰光子芯片生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)。平臺還兼顧了硅、氮化硅等多種材料體系，為高校、科研院所及創(chuàng)新企業(yè)提供了全方位的技術(shù)服務(wù)支持。
據(jù)悉，上海交通大學無錫光子芯片研究院自2021年12月成立以來，便承載著推動國內(nèi)光子芯片技術(shù)發(fā)展的重任。在無錫市、上海交通大學以及蠡園經(jīng)濟開發(fā)區(qū)的共同努力下，研究院不斷取得突破性進展。自2022年12月中試線正式開工以來，經(jīng)過短短數(shù)月的緊張建設(shè)與調(diào)試，終于在今年9月正式啟用。
展望未來，上海交通大學無錫光子芯片研究院將依托這條中試線，繼續(xù)攻克薄膜鈮酸鋰光子芯片產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵技術(shù)難題。研究院計劃以薄膜鈮酸鋰調(diào)制器為核心，開發(fā)晶圓級芯片量產(chǎn)工藝，力求實現(xiàn)光子芯片的規(guī)模量產(chǎn)，以滿足人工智能等大算力領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒男枨蟆?/p>
隨著國內(nèi)首條光子芯片中試線的啟用，我國光子芯片產(chǎn)業(yè)迎來了新的發(fā)展機遇。這不僅將加速我國信息技術(shù)的升級換代，更有望在全球科技競爭中占據(jù)有利地位。
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