【ITBEAR】8月12日消息，近日，有韓媒ETNews報(bào)道稱，三星電子已在內(nèi)部確認(rèn)了將在平澤P4工廠投資建設(shè)1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線的計(jì)劃，并預(yù)計(jì)該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運(yùn)營。
平澤P4工廠是一座集多種半導(dǎo)體生產(chǎn)于一體的綜合性中心，共分為四期建設(shè)。根據(jù)早前的規(guī)劃，一期主要用于NAND閃存的生產(chǎn)，二期原計(jì)劃為邏輯代工，而三期和四期則規(guī)劃為DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)。值得注意的是，三星已經(jīng)在P4一期引入了DRAM生產(chǎn)設(shè)備，但二期的建設(shè)目前處于擱置狀態(tài)。
據(jù)ITBEAR了解，1c nm DRAM代表著第六代20~10 nm級的內(nèi)存工藝，目前各大廠商的相關(guān)產(chǎn)品都還未正式發(fā)布。韓媒在報(bào)道中指出，三星電子計(jì)劃在今年年底前啟動1c nm內(nèi)存的生產(chǎn)。
平澤廠區(qū)作為三星的重要生產(chǎn)基地，此次1c nm DRAM產(chǎn)線的建設(shè)也被視為是三星電子為應(yīng)對未來市場需求的重要布局。特別是考慮到HBM內(nèi)存對DRAM晶圓的消耗量遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)內(nèi)存，平澤P4工廠1c nm DRAM產(chǎn)線的建設(shè)無疑是在為可能的HBM4生產(chǎn)需求做好充分準(zhǔn)備。
此前，有報(bào)道指出三星電子計(jì)劃在明年下半年推出的HBM4內(nèi)存上使用1c nm DRAM裸片，旨在通過更先進(jìn)的DRAM制程提升HBM4產(chǎn)品的能效競爭力，以此追趕在HBM領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位的SK海力士。
