【ITBEAR科技資訊】6月6日消息，近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML已成功向英特爾交付并安裝了世界首臺(tái)商用High-NA EUV光刻機(jī)。英特爾院士馬克?菲利普斯(Mark Phillips)確認(rèn)，該機(jī)器預(yù)計(jì)年內(nèi)將正式投入使用。
相較于英特爾的積極態(tài)度，全球芯片代工巨頭臺(tái)積電在采用這項(xiàng)新技術(shù)上顯得更為謹(jǐn)慎。今年早些時(shí)候，在荷蘭的一場活動(dòng)中，當(dāng)被問及是否有購買此類設(shè)備的計(jì)劃時(shí)，臺(tái)積電表示反對(duì)。該公司曾聲明，在未來幾年內(nèi)并無需求引入高端的EUV光刻機(jī)，主要考慮到其高昂的價(jià)格。有分析師甚至預(yù)測，臺(tái)積電可能要等到2030年或更晚才會(huì)采用High-NA EUV技術(shù)。
然而，經(jīng)過數(shù)月的討論與考量，臺(tái)積電似乎已轉(zhuǎn)變立場。ASML的發(fā)言人莫妮克?莫爾斯(Monique Mols)透露，公司計(jì)劃在今年內(nèi)向臺(tái)積電交付一臺(tái)價(jià)值3.8億美元(約合27.53億元人民幣)的High-NA EUV光刻機(jī)。ASML首席財(cái)務(wù)官羅杰?達(dá)森(Roger Dassen)也證實(shí)，這臺(tái)尖端設(shè)備將在年底前送達(dá)臺(tái)積電，同時(shí)英特爾也將收到他們的設(shè)備。這一消息發(fā)布后，ASML的股價(jià)應(yīng)聲上漲超過6%。
英特爾在2022年便宣布購買了5臺(tái)此類設(shè)備(型號(hào)為TWINSCAN NXE:3600D)，旨在為2025年生產(chǎn)的Intel 18A芯片做準(zhǔn)備。
在芯片制造領(lǐng)域，先進(jìn)的技術(shù)光刻是衡量生產(chǎn)能力的關(guān)鍵因素。High-NA光刻技術(shù)有望進(jìn)一步縮小芯片尺寸，據(jù)稱能夠降低66%的尺寸大小。在當(dāng)前芯片制造中，盡管3nm和5nm工藝已不直接代表實(shí)際的柵極寬度，但行業(yè)仍在不斷追求更小的尺寸。
據(jù)悉，新型EUV系統(tǒng)具有0.55的數(shù)值孔徑，相較于之前配備0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV系統(tǒng)，其精度有了顯著提升，能夠?qū)崿F(xiàn)更為精細(xì)的圖案化。
ASML官方還指出，這種High-NA機(jī)器的體積將比現(xiàn)有設(shè)備大出30%，而現(xiàn)有的機(jī)器已經(jīng)相當(dāng)龐大，甚至需要三架波音747才能運(yùn)輸。
另一方面，臺(tái)積電在2nm工藝節(jié)點(diǎn)上的進(jìn)展頗為順利。公司計(jì)劃于2025年下半年推出N3X和N2制程，并預(yù)計(jì)在2026年下半年開始量產(chǎn)N2P和A16制程。與3nm工藝不同，臺(tái)積電的2nm工藝將采用環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管(GAAFET)，據(jù)稱相較于3nm工藝，其性能將提升10%至15%，同時(shí)功耗可降低25%至30%。
之前，有股東發(fā)言提及近華為發(fā)展晶圓代工相當(dāng)積極，向臺(tái)積電董事長劉德音請(qǐng)教如何評(píng)斷，劉德音表示，臺(tái)積電著重是自己發(fā)展的速度夠不夠快，臺(tái)積電永遠(yuǎn)有競爭對(duì)手。
“至于華為會(huì)不會(huì)超越臺(tái)積電，本來他想請(qǐng)總裁魏哲家回答，后來就直接說，總裁也不用回答了，因?yàn)榈静豢赡??！眲⒌乱粽f道。
