【ITBEAR科技資訊】5月14日消息，近日，SK海力士在2024年度IEEE IMW國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上宣布了關(guān)于HBM4E內(nèi)存的重要進(jìn)展。據(jù)SK海力士技術(shù)人員Kim Kwi Wook透露，該公司計(jì)劃采用1c nm工藝的32Gb DRAM芯片來(lái)構(gòu)建新一代的HBM4E內(nèi)存，并且預(yù)期該內(nèi)存的開(kāi)發(fā)周期將縮短至一年。
這一消息無(wú)疑為科技界帶來(lái)了新的震動(dòng)。目前，全球三大內(nèi)存制造商尚未開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)1c nm(第六代10+nm級(jí))DRAM內(nèi)存顆粒。然而，SK海力士已經(jīng)走在了前面，計(jì)劃在今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)1c nm DRAM的量產(chǎn)，與三星電子一同領(lǐng)跑新一代內(nèi)存技術(shù)的競(jìng)賽。美光科技則稍顯落后，預(yù)計(jì)要到明年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
新一代1c nm DRAM顆粒有望在存儲(chǔ)密度和能效方面帶來(lái)顯著的改進(jìn)。目前，SK海力士在HBM3E內(nèi)存中主要使用的是1b nm工藝的DRAM顆粒。雖然該公司尚未確認(rèn)HBM4是否會(huì)采用更新的DRAM裸片制程，但韓媒The Elec近日的報(bào)道指出，SK海力士已經(jīng)將HBM4的量產(chǎn)時(shí)間提前到了2025年下半年，因此繼續(xù)使用1b nm顆粒可能更符合其研發(fā)進(jìn)度。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，目前主流的HBM3E產(chǎn)品通常采用24Gb DRAM顆粒，這使得在8層堆疊的情況下，HBM3E內(nèi)存的單堆棧容量可以達(dá)到24GB。若采用12層堆疊設(shè)計(jì)，其堆棧容量更可提升至36GB。隨著HBM4E內(nèi)存升級(jí)到32Gb DRAM裸片，12層堆疊的版本有望實(shí)現(xiàn)48GB的單顆容量，而16層版本甚至可能達(dá)到64GB的超大規(guī)模，這將為人工智能等應(yīng)用提供更多可能性。
Kim Kwi Wook預(yù)測(cè)，相比HBM4，HBM4E內(nèi)存將在帶寬上提升40%、密度提升30%，同時(shí)能效也將提高30%。然而，在談到鍵合技術(shù)時(shí)，他表示混合鍵合仍然面臨著良率問(wèn)題，因此SK海力士在下一代HBM4產(chǎn)品中采用混合鍵合技術(shù)的可能性并不大。
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的日益競(jìng)爭(zhēng)，各大內(nèi)存制造商都在積極尋求突破和創(chuàng)新。SK海力士的這一新動(dòng)向無(wú)疑為整個(gè)行業(yè)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。我們期待這一技術(shù)在未來(lái)能夠?yàn)楦囝I(lǐng)域帶來(lái)革命性的變革。
