【ITBEAR科技資訊】5月9日消息，據(jù)韓媒Sedaily援引行業(yè)內部人士透露，三星電子已決定著手組建1dnm DRAM內存技術開發(fā)團隊，力圖在新一代內存技術上搶占先機。
當前，DRAM內存行業(yè)的最新技術節(jié)點為10+nm系列的第五代工藝，即1bnm。而全球前三大內存制造商——三星電子、SK海力士及美光，均計劃在今年第三季度至明年期間將下一代DRAM工藝1cnm投入量產(chǎn)。然而，更具前瞻性的1dnm工藝，其預計的量產(chǎn)時間則在2026年之后。
三星電子在DRAM工藝開發(fā)上的策略有所調整。據(jù)ITBEAR科技資訊了解，以往三星電子在開發(fā)新一代DRAM工藝時，通常會在接近量產(chǎn)的PA(工藝架構)階段才組建專業(yè)團隊。但在1dnm節(jié)點上，三星電子顯然改變了策略，提前1至2年便開始組建包含半導體與工藝工程師的綜合團隊，目前該團隊規(guī)模已達數(shù)百人。
1dnm工藝預計將大量增加EUV光刻技術的使用，這無疑提升了技術難度。三星電子此舉意在通過提前組建團隊，為量產(chǎn)做好充分準備，并盡量縮短工藝優(yōu)化所需的時間。
近年來，三星電子在DRAM內存技術領域的領先地位受到挑戰(zhàn)。在1anm節(jié)點上，美光公司率先實現(xiàn)量產(chǎn)，而在1bnm節(jié)點，三家大廠的量產(chǎn)時間則基本持平。對于即將到來的1cnm節(jié)點，SK海力士有望領跑。此外，由于三星電子之前解散了HBM內存研發(fā)團隊，導致該公司在HBM3(E)內存市場的競爭中亦顯落后。
鑒于此，三星電子決定通過提前加大在1dnm DRAM研發(fā)上的投入，以期重振內存技術領域的雄風，并期望通過DRAM技術的進一步升級，推動其HBM業(yè)務的發(fā)展。
