【ITBEAR科技資訊】4月7日消息，據(jù)日經(jīng)xTECH報道，鎧俠首席技術(shù)官宮島英史在第71屆日本應(yīng)用物理學會春季學術(shù)演講會上宣布，公司計劃在2030至2031年間推出具有1000層堆疊的3D NAND閃存。同時，他還透露了公司對存儲級內(nèi)存(SCM)業(yè)務(wù)進行重組的計劃。
鎧俠與合作伙伴西部數(shù)據(jù)共同開發(fā)的NAND閃存技術(shù)已取得顯著進展，他們目前最尖端的產(chǎn)品是218層堆疊的BICS8 3D閃存，其I/O速率可達到3200MT/s。宮島英史指出，提升堆疊層數(shù)是提高單顆3D NAND閃存顆粒容量的關(guān)鍵途徑，但隨著層數(shù)的增加，在閃存顆粒中蝕刻垂直通道的難度也逐漸加大。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，鎧俠在BICS8中采用了雙堆棧工藝。
與此同時，另一NAND閃存巨頭三星也在積極研發(fā)高層數(shù)堆疊的3D NAND閃存。三星在2022年的技術(shù)日上預(yù)測，到2030年將實現(xiàn)1000+層堆疊的3D NAND閃存。據(jù)ITBEAR科技資訊了解，隨著堆疊層數(shù)的提升，高深寬比蝕刻技術(shù)的難度和耗時也在不斷增加，這成為制約NAND閃存發(fā)展的一個關(guān)鍵因素。
在演講中，宮島英史還強調(diào)了鎧俠在存儲級內(nèi)存(SCM)領(lǐng)域的發(fā)展策略。他表示，在AI技術(shù)的推動下，DRAM和NAND之間的性能差距正在擴大，因此鎧俠看到了SCM市場的巨大潛力。為此，鎧俠決定將此前的“存儲器技術(shù)研究實驗室”重組為“先進技術(shù)研究實驗室”，以專注于MRAM、FeRAM、ReRAM等新型內(nèi)存的研發(fā)。據(jù)悉，鎧俠有望在2至3年內(nèi)推出SCM產(chǎn)品。
鎧俠之前在SCM領(lǐng)域主要聚焦于XL-FLASH閃存方案。2022年，該公司成功推出了支持MLC模式的第二代XL-FLASH產(chǎn)品，進一步豐富了其在新型存儲產(chǎn)品領(lǐng)域的布局。
