【ITBEAR科技資訊】9月6日消息，ASML首席執(zhí)行官Peter Wennink最近接受了路透社的采訪，他在采訪中表示，盡管公司在供應(yīng)方面遇到了一些困難，但他們?nèi)匀粓?jiān)定地計(jì)劃在今年年底之前交付首臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV光刻(High-NA EUV)機(jī)器。
據(jù)了解，一臺(tái)High-NA EUV設(shè)備的體積相當(dāng)龐大，堪比卡車，而其售價(jià)也高達(dá)每臺(tái)超過3億美元(約合21.9億元人民幣)。這些機(jī)器被設(shè)計(jì)用來滿足一線芯片制造商的需求，有望在未來十年內(nèi)制造更小、更高性能的芯片。
Peter Wennink指出，盡管一些供應(yīng)商在提供所需組件的數(shù)量和質(zhì)量方面遇到了問題，導(dǎo)致了一些輕微的交付延遲，但總體而言，這些困難是可以掌控的。他鄭重承諾，公司將會(huì)按照原定計(jì)劃，在今年年底之前交付首臺(tái)High-NA EUV機(jī)器。
對(duì)于后3納米時(shí)代的芯片制造，ASML與其合作伙伴正在積極研發(fā)全新的EUV光刻機(jī)——Twinscan EXE:5000系列。這一系列機(jī)器將采用0.55 NA(高數(shù)值孔徑)的透鏡，分辨率高達(dá)8納米，旨在在3納米及以上制程節(jié)點(diǎn)中盡可能減少雙重或多重曝光的需求，從而提高芯片制造的效率和性能。
ITBEAR科技資訊了解到，ASML一直在為推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展不斷努力，他們的高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)將為未來的芯片制造帶來更大的突破和創(chuàng)新。
