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三星Foundry發(fā)力3納米工藝,爭(zhēng)奪超先進(jìn)芯片制造技術(shù)領(lǐng)域

   時(shí)間:2023-07-18 16:33:16 來源:ITBEAR編輯:茹茹 發(fā)表評(píng)論無障礙通道

【ITBEAR科技資訊】7月18日消息,根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Hi Investment & Securities的最新報(bào)告,三星Foundry在3納米工藝方面取得了良好的進(jìn)展,良率達(dá)到了60%,超過了臺(tái)積電的55%。

報(bào)道指出,三星Foundry積極發(fā)展3納米工藝,不斷提升生產(chǎn)工藝水平和提高良率,目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了60%的良率,預(yù)計(jì)在超先進(jìn)芯片制造技術(shù)上能夠超過臺(tái)積電。

根據(jù)ITBEAR科技資訊了解,報(bào)告還指出三星Foundry在4納米工藝方面的良率為75%,略低于臺(tái)積電的80%,但通過在3納米工藝上的發(fā)力,有望在未來超越臺(tái)積電。

報(bào)道還提到,由于臺(tái)積電的大部分訂單都被蘋果預(yù)訂,一些公司如英偉達(dá)和高通對(duì)三星Foundry的第二代3納米(SF3)工藝表現(xiàn)出了興趣。

此前,三星Foundry在SFF 2023上公布了最新的工藝技術(shù)路線圖,計(jì)劃在2025年推出2納米級(jí)的SF2工藝,并于2027年推出1.4納米級(jí)的SF1.4工藝。此外,該公司還公布了SF2工藝的一些特性。

根據(jù)Hi Investment & Securities的報(bào)告,三星Foundry在3納米工藝上取得的良率突破顯示了其在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域的實(shí)力和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。隨著不斷的技術(shù)創(chuàng)新和工藝改進(jìn),三星Foundry有望在未來獲得更多的市場(chǎng)份額并與臺(tái)積電展開激烈的競(jìng)爭(zhēng)。

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