【網(wǎng)界科技】3月13日消息，三星電子近日公布的《三星電子事業(yè)報(bào)告書》顯示，三星將于今年上半年開始量產(chǎn)基于第三代 4 納米工藝的芯片。該芯片將解決早期階段的良率問題，提升性能、功耗和面積。
此次公布是三星首次提及第三代 4 納米芯片的具體量產(chǎn)時間。相比早期版本 SF4E，第二代和第三代芯片表現(xiàn)出更好的性能、更低的功耗和更小的面積。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士估計(jì)，三星電子目前的 4 納米工藝良率可達(dá)到 60%，相較于同類型的臺積電的 70~80%還有一定差距。不過，專家認(rèn)為三星電子的良品率正在迅速提高，后續(xù)產(chǎn)品的量產(chǎn)也在加快。
據(jù)網(wǎng)界科技了解，盡管目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝是 3 納米級別，但臺積電和三星電子的主要產(chǎn)品仍然是 4 納米和 5 納米。據(jù)市場研究公司 Counterpoint Research 的數(shù)據(jù)，去年第三季度，4 納米和 5 納米工藝占銷售額占比最高，達(dá)到了 22%。而 6 納米和 7 納米工藝的銷售額占比為 16%。
值得注意的是，三星電子在早期版本 SF4E 芯片實(shí)現(xiàn)商用后，曾遇到一系列的芯片產(chǎn)量管理問題，最終因?yàn)槟芎谋憩F(xiàn)不佳和產(chǎn)能限制，將大客戶高通拱手讓給了臺積電。但專家們認(rèn)為，隨著三星電子在先進(jìn)工藝上不斷突破，在性能提高的前提下保證產(chǎn)能，預(yù)計(jì)可在 5 納米級以上的工藝量產(chǎn)方面與臺積電進(jìn)一步進(jìn)行競爭。
