7月25日上午，三星在韓國(guó)首爾南部的華城舉辦典禮，宣布首批3nm芯片正式出貨。
三星稱3nm會(huì)率先用于高性能計(jì)算領(lǐng)域，按照之前說(shuō)法，第一個(gè)“吃螃蟹”的客戶是來(lái)自中國(guó)的一家礦機(jī)芯片廠商。
數(shù)據(jù)層面，三星第一代3nm減小了16%的面積、提升了23%的性能，降低了45%的功耗。第二代3nm則要實(shí)現(xiàn)面積縮減35%、性能提升30%、功耗降低50%。
據(jù)悉，三星的3nm基于GAA或者說(shuō)MBCFET晶體管技術(shù)，號(hào)稱要取代當(dāng)下主流的FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。雖然臺(tái)積電的3nm也將在下半年量產(chǎn)，不過(guò)依然是FinFET。
三星透露，早在21世紀(jì)初就開(kāi)始研發(fā)GAA技術(shù)了，最終在2017年成功將其用于3nm節(jié)點(diǎn)，如今量產(chǎn)交付，代表三星半導(dǎo)體事業(yè)翻開(kāi)嶄新的篇章。
不過(guò)，圍繞三星3nm的爭(zhēng)議依舊不斷，首先它被一家名不見(jiàn)經(jīng)傳的礦機(jī)芯片廠商下單，說(shuō)服力本就不足。其次，三星用于代工的最主力工廠明明在平澤市，可3nm居然是在華城降生，華城只是三星研發(fā)中心，批評(píng)人士嘲笑這是“從實(shí)驗(yàn)室直接抵達(dá)廠商”博首發(fā)的噱頭。
最后，盡管三星強(qiáng)調(diào)3nm會(huì)用在移動(dòng)處理器上，但據(jù)說(shuō)要等到2024年，大客戶高通在4nm被坑后，這兩年的單子多數(shù)都轉(zhuǎn)給臺(tái)積電了。
