【ITBEAR科技資訊】7月23日消息，前段時(shí)間，三星宣布采用3nm工藝的環(huán)柵晶體管芯片正式開(kāi)始生產(chǎn)。近日，三星官宣將于下周展示其首款3nmGAA芯片。根據(jù)爆料的消息，三星將于7月25日為其首款3nm芯片舉行發(fā)布儀式。
據(jù)了解，三星在此前的聲明中表示，3nm GAA工藝與傳統(tǒng)的5nm工藝相比可減少16%的芯片面積，同時(shí)將帶來(lái)更低的功耗和更高的性能。不過(guò)，三星的有力競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電也在本月開(kāi)啟了其3nmFinFET的生產(chǎn)，目前各大芯片廠商旗艦芯片的訂單也基本被臺(tái)積電包攬，三星通過(guò)3nm芯片產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)盈利的目標(biāo)仍面臨很大挑戰(zhàn)。
根據(jù)此前的爆料，三星已經(jīng)決定其下代Galaxy S23系列手機(jī)全系采用基于臺(tái)積電工藝的高通芯片，這意味著三星仍需要一段時(shí)間來(lái)優(yōu)化其工藝的發(fā)熱及功耗問(wèn)題，3nm工藝的穩(wěn)定量產(chǎn)時(shí)間也不得而知。
