今年3月份，Intel CEO帕特基辛格(Pat Gelsinger)曾在投資交流活動中透露，Intel 18A工藝將比原定時間提前半年投產(chǎn)，現(xiàn)在Intel正用實際行動踐行著承諾。
本周，Intel在位于美國俄勒岡的D1X工廠舉辦隆重的Mod3擴(kuò)建儀式，并將此地命名為戈登摩爾公園(Gordon Moore Park)。
Mod3的說法類似于我們游戲中所謂的Mod，也就是模塊，實際上，這是Intel為D1X工廠打的第三個MOD“補丁”，也是第二次擴(kuò)建，投資高達(dá)30億美元。
D1X-Mod3的主要工作實際上從去年8月份就開始了，其重大意義在于，為工廠增加了2.5萬平米的潔凈室空間，將D1X擴(kuò)大了20%，這便為最終足以搬進(jìn)ASML的下一代最先進(jìn)高數(shù)值孔徑（High NA）EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200 EUV創(chuàng)造必要條件。
和服務(wù)Intel 3/4工藝的NXE 3000系列EUV光刻機相比，EXE 5200大了很多，突破了D1X原“天花板”。
回到18A工藝制程，提速后，最快可以在2024年三季度登場。
關(guān)于18A，簡單解釋下。其實按照Intel之前多年“老實”的命名習(xí)慣，其對應(yīng)5nm+。但由于對手臺積電、三星早就破壞了晶體管尺度定義規(guī)范，Intel索性也下場“肉搏”了。外界傾向于認(rèn)為，18A對應(yīng)18埃米，也就是1.8nm，對標(biāo)的是臺積電2nm。
修訂后的Intel最新工藝路線圖如下：
可以看到，今年開始到2024年，Intel的制程迭代將會非常緊湊，下半年會有第一代大規(guī)模使用EUV的Intel 4(原7nm)，明年下半年則是最后一代FinFET晶體管的Intel 3(原7nm+)。
2024年會全面進(jìn)入基于環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的RibbonFET晶體管時代，同時還有Intel獨創(chuàng)的PowerVia背面電路，首發(fā)是Intel 20A(原5nm)，名義2nm。
Intel新老工藝命名及指標(biāo)整理，供參考
