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羅姆:新一代半導體的氮化鎵將在 2022 年春季之前量產(chǎn)

   時間:2022-02-15 15:12:42 來源:愛集微作者:Ukyan編輯:星輝 發(fā)表評論無障礙通道

據(jù)日經(jīng)亞洲評論 2 月 11 日報道,羅姆將在 2022 年春季之前開始量產(chǎn)被視為新一代半導體的氮化鎵(GaN)半導體。這是能提高供電和控制效率的“功率半導體”,據(jù)稱和此前的硅半導體相比,新產(chǎn)品能把電流切換時的損耗減少 6 成。羅姆將在日本濱松市的工廠建設生產(chǎn)設備,首先面向 5G 基站等供貨。

羅姆將量產(chǎn)能承受 150 伏電壓的產(chǎn)品,用于數(shù)據(jù)中心和通信基站。在 2021 年 9 月,已經(jīng)啟動樣品供貨。新產(chǎn)品采取在硅晶圓之上形成氮化鎵層的結構,包括濱松市工廠在內,羅姆將在海內外各基地進行生產(chǎn)。

羅姆力爭在 2025 財年(截至 2026 年 3 月)之前,使半導體元件業(yè)務的營業(yè)收入達到目前的 1.5 倍,增至 2100 億日元規(guī)模。

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