1 月 5 日消息，韓國(guó)晶圓代工廠商 DB HiTek 通過(guò)在硅晶圓片上制作由氮化鎵 (GaN) 材料制成的薄膜來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片，該技術(shù)能夠響應(yīng)通信設(shè)備、電動(dòng)汽車充電器和太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器等快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。
圖源：etnews
據(jù)韓媒 etnews 報(bào)道，GaN 是下一代半導(dǎo)體材料，可提高通信設(shè)備、電動(dòng)汽車快速充電器和太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器的電源效率。DB HiTek 將生產(chǎn)基于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 技術(shù)的 8 英寸半導(dǎo)體，該技術(shù)預(yù)計(jì)可以通過(guò)提高半導(dǎo)體制造的競(jìng)爭(zhēng)力來(lái)簡(jiǎn)化晶片加工以增強(qiáng)盈利能力。
據(jù)了解，DB HiTek 預(yù)計(jì)今年將利用其忠北工廠來(lái)應(yīng)對(duì) 8 英寸市場(chǎng)，該公司計(jì)劃通過(guò)充分利用忠北的 Sangwoo fab 產(chǎn)能或進(jìn)行額外投資來(lái)滿足對(duì)電動(dòng)汽車和電動(dòng)設(shè)備等 8 英寸半導(dǎo)體的需求。
