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消息稱聯(lián)電 22nm 高壓制程最快明年首季試產(chǎn)驗(yàn)證,為三星代工 OLED 驅(qū)動(dòng)芯片

   時(shí)間:2021-12-13 14:22:54 來源:愛集微作者:holly編輯:星輝 發(fā)表評論無障礙通道

12 月 13 日消息,據(jù)中國臺灣媒體《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道,聯(lián)電與三星合作開發(fā)的 22nm 高壓制程最快明年首季開始試產(chǎn)驗(yàn)證,屆時(shí)將為三星代工新的 OLED 驅(qū)動(dòng) IC。

▲ 圖源:經(jīng)濟(jì)日報(bào)

據(jù)悉,聯(lián)電方面證實(shí),22nm 高壓制程正因應(yīng)客戶需求開發(fā)中,但無法透露客戶名稱。臺媒分析稱目前 OLED 驅(qū)動(dòng) IC 廠商中僅有三星有能力導(dǎo)入聯(lián)電的 22nm 高壓制程,最快明年第 1 季開始小量試產(chǎn)驗(yàn)證,初期產(chǎn)能數(shù)千片,之后逐步放大至數(shù)萬片。

該報(bào)道指出,聯(lián)電 22nm 制程與原來 28nm 制程相比,能夠縮減 10%的晶粒面積,且擁有更佳功率效能比和更強(qiáng)的射頻性能。22nm 高壓制程則從原來可支持的 1.8V/3.3V/5V/8V 提高至最大支持 10V/18V。

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