在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，EUV工藝是少不了的，但是EUV光刻機(jī)價(jià)格高達(dá)10億一臺(tái)，而且產(chǎn)量有限，導(dǎo)致芯片生產(chǎn)成本很高。日本鎧俠公司現(xiàn)在聯(lián)合伙伴開發(fā)了新的工藝，可以不使用EUV光刻機(jī)，工藝直達(dá)5nm。
據(jù)據(jù)日媒報(bào)導(dǎo)，鎧俠從2017年開始與半導(dǎo)體設(shè)備廠佳能，以及光罩、模板等半導(dǎo)體零組件制造商DNP合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內(nèi)研發(fā)納米壓印微影技術(shù)(NIL)的量產(chǎn)技術(shù)，鎧俠已掌握15nm量產(chǎn)技術(shù)，目前正在進(jìn)行15nm以下技術(shù)研發(fā)，預(yù)計(jì)2025年達(dá)成。
與目前已實(shí)用化的極紫外光(EUV)半導(dǎo)體制程細(xì)微化技術(shù)相比，NIL更加減少耗能且大幅降低設(shè)備成本。
因NIL的微影制程較單純，耗電量可壓低至EUV生產(chǎn)方式的10%，并讓設(shè)備投資降低至40%。
而EUV設(shè)備由ASML獨(dú)家生產(chǎn)供應(yīng)，不但價(jià)格高，且需要許多檢測(cè)設(shè)備配合。
目前NIL在量產(chǎn)上仍有不少問題有待解決，包括更容易因細(xì)微塵埃而形成瑕疵等問題。
如果鎧俠能成功率先引進(jìn)NIL量產(chǎn)技術(shù)，可望彌補(bǔ)在設(shè)備投資競(jìng)賽中的不利局面，又能符合減少碳排放的需求。
對(duì)鎧俠來說，NAND組件采取3D堆疊立體結(jié)構(gòu)，更容易因應(yīng)NIL技術(shù)的微影制程。
鎧俠表示，已解決NIL的基本技術(shù)問題，正在完善量產(chǎn)技術(shù)，希望能率先引入NAND生產(chǎn)。
根據(jù)DNP說法，NIL技術(shù)電路精細(xì)程度可達(dá)5nm，DNP從2021年春起，根據(jù)設(shè)備的規(guī)格值進(jìn)行內(nèi)部仿真。
DNP透露，從半導(dǎo)體制造商詢問增加，顯示不少?gòu)S商對(duì)NIL技術(shù)寄予厚望。
而佳能則致力于將NIL技術(shù)廣泛應(yīng)用于制作DRAM及PC用CPU等邏輯IC的設(shè)備，供應(yīng)多種類型的半導(dǎo)體制造商，將來也希望能應(yīng)用于手機(jī)應(yīng)用處理器等最先進(jìn)制程。
