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國產(chǎn)功率半導(dǎo)體通往崛起之路,華微電子加大研發(fā)力度

   時間:2020-11-03 10:08:39 來源:互聯(lián)網(wǎng)編輯:星輝 發(fā)表評論無障礙通道

在我國,功率半導(dǎo)體器件廣泛的應(yīng)用于工業(yè)、新能源、軍工等領(lǐng)域,具有非常重要的作用,但由于中國起步較晚,在技術(shù)上跟國外有很大的差異,因此進(jìn)口依賴性較強(qiáng),導(dǎo)致中國半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展受限。不過在市場的推動下,以華微電子為代表的功率半導(dǎo)體企業(yè)迎來新的發(fā)展機(jī)遇,將發(fā)揮自身產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢,助力半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代加速。

在過去的多年發(fā)展中,突破技術(shù)難關(guān),提升產(chǎn)品質(zhì)量,實現(xiàn)進(jìn)口替代,一直是國產(chǎn)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展方向。

早在1956年,我國十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃中,半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)即被列為當(dāng)時國家新技術(shù)四大緊急措施之一,此后的半個世紀(jì)中,西方國家嚴(yán)格的技術(shù)封鎖情況下,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在諸多方面與國外仍有較大差距。

在一大批舍身忘我的半導(dǎo)體人和有擔(dān)當(dāng)責(zé)任民族企業(yè)努力下,從無到有,建立相對完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系,也是他們不折不撓地奮斗下,國產(chǎn)功率半導(dǎo)體與國際一流技術(shù)水平差距在縮小,已經(jīng)逐漸打破國外大廠的壟斷。

成立于1965年的吉林華微電子股份有限公司正是這樣一家民族企業(yè),經(jīng)過半個多世紀(jì)的耕耘和積累,華微電子培育一批掌握功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的專業(yè)技術(shù)人才,具備從二三級管、可控硅、MOSFET到IGBT和IPM模塊的全系列功率器件產(chǎn)品,在大功率產(chǎn)品上完全可以替代進(jìn)口品牌,部分產(chǎn)品性能已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

1965年9月,華微電子的前身吉林市半導(dǎo)體廠應(yīng)運而生,1965年12月24日,經(jīng)過八天九夜連續(xù)奮戰(zhàn),28位創(chuàng)業(yè)者在職工浴池里鋪成的生產(chǎn)線上,試制成功第一批硅整流二極管,填補(bǔ)了吉林省晶體管生產(chǎn)的空白。

在六五、七五、八五期間,華微電子先后實施三期技術(shù)改造,從美國、日本、瑞士等七國先后引進(jìn)具20世紀(jì)90年代初國際先進(jìn)水平的關(guān)鍵工藝裝備,是當(dāng)時國際上制造高反壓大功率晶體管芯片普遍采用的工藝設(shè)備。

現(xiàn)如今,華微電子的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋功率半導(dǎo)體全部產(chǎn)品類別,形成IGBT、MOSFET、SBD、FRD、SCR、BJT、IPM、LED IC等八大系列產(chǎn)品。

華微電子認(rèn)為,產(chǎn)品創(chuàng)新、技術(shù)進(jìn)步是發(fā)展的動力。華微電子一直重視研發(fā)和技術(shù)人才培養(yǎng),是國家級企業(yè)技術(shù)中心,國家創(chuàng)新型企業(yè)、國家博士后科研工作站,公司每年對試驗室進(jìn)行可持續(xù)投入,以提升自主創(chuàng)新能力建設(shè)。

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