根據(jù)業(yè)內(nèi)人士消息，三星半導(dǎo)體于近日公布了10nm FinFET工藝生產(chǎn)計劃，預(yù)計將在2016年末開始將芯片產(chǎn)品轉(zhuǎn)向該工藝，目前三星掌握的最新芯片制造工藝為14nm，已經(jīng)和強大的競爭對手intel的最新工藝處在同一技術(shù)規(guī)格上。
處理器工藝對功耗以及性能都有影響
據(jù)了解，今年二月intel中東和北非地區(qū)總經(jīng)理透露其10nm工藝的發(fā)布日期為2017年初，如果消息屬實，那么三星或許會趕在intel前面推出10nm工藝。想必已經(jīng)在CPU制造領(lǐng)域稱霸多年的intel一定會看不過去的。
采用14nm工藝制造的Exynos 7420搭載在S6以及S6edge手機上
目前，三星最先進的14nm工藝僅應(yīng)用于自家的獵戶座Exynos 7420處理器上，為的是通過增加賣點，提振搭載這一處理器的新款手機的銷量。隨著制造成本降低以及生產(chǎn)效率升高，三星有可能會在今年晚些時候開放14nm工藝生產(chǎn)線來代工其它品牌芯片，據(jù)了解蘋果可能會在下一代A9芯片使用三星的14nm制造工藝。
和三星比起來，intel的芯片生產(chǎn)線的產(chǎn)能則只會滿足自己設(shè)計制造的芯片，不過由于具備業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)使其擁有龐大的PC市場以及不斷壯大的移動端市場，令intel并不發(fā)愁自家的芯片沒地方賣，但如果自家的技術(shù)落后了那么后果將不堪設(shè)想。
intel14nm處理器技術(shù)：
intel作為處理器市場的絕對王者從四十多年前便開始了處理器設(shè)計與制造。近年來隨著移動終端領(lǐng)域的發(fā)展，很多生產(chǎn)ARM處理器的廠商異軍突起，令I(lǐng)ntel感受到不小壓力。不過目前intel仍然是首屈一指的技術(shù)王者，不僅在去年率先發(fā)布了14nm工藝技術(shù)，而且還帶來了其它的處理器技術(shù)革新。
采用22nm工藝的Haswell處理器是采用14nm工藝Boardwell處理器的二倍
相比22nm，intel的14nm制程可以令芯片內(nèi)部電路做的更小從而擁有更低功耗，據(jù)了解，相比上一代intel處理器，采用14nm制程的處理器將會降低一半的TDP功耗。由于發(fā)熱量降低，所以22nm制程的處理器可以在更高的主頻下運行，使得性能顯著提升。
第二代Tri-gate技術(shù)又稱為3D晶體管技術(shù)是Intel在14nm制程處理器上應(yīng)用的新技術(shù)，它可以令處理器的晶體管承載數(shù)量有顯著提升，從而進一步提升處理器性能。
三星14nm處理器技術(shù)：
在今天初，三星推出14nm制程芯片，并應(yīng)用與自家手機產(chǎn)品上，博得業(yè)界極大地關(guān)注以及肯定。更小的制程同樣也為三星的處理器帶來了更低功耗以及更強性能。更值得人們關(guān)注的是三星目前的處理器架構(gòu)也從planar進化到了3D FinFET架構(gòu)上。該架構(gòu)與intel的Tri-gate技術(shù)所達到的目的是一樣的，都是為了提升處理器晶體管數(shù)量，從而帶來更高的處理性能。
相比14nm工藝，10nm工藝可以令芯片尺寸繼續(xù)降低，并且更多的晶體管可以幫助處理器的性能提升，但除了工藝的提升之外未來的10nm工藝處理器還是有其它看點值得我們關(guān)注的。
intel黑科技：量子阱晶體管
intel可能會在下
盡管intel的10nm芯片的研發(fā)上顯得有些緩慢，但據(jù)了解intel目前正準備將自家的量子阱晶體管技術(shù)應(yīng)用于10nm制程的芯片上，這種技術(shù)可以令晶體管的運行電壓從0.7V降低到0.5V，從而在更低功耗下實現(xiàn)相同的性能。而三星，臺積電等芯片廠商則要等到7nm工藝的時候，才有可能會用的該技術(shù)，intel又領(lǐng)先了一步。
在10nm之后；7nm與5nm之爭
以目前芯片的硅工藝來看，未來的10nm工藝將成為硅材料晶體管的物理極限，但芯片廠商并不會裹足不前，目前intel正在為7nm工藝而研發(fā)新的材料，三星同樣如此。更讓人吃驚的是前一段時間，三星甚至表示該公司將會開始推進5nm工藝制程。
