北京時(shí)間9月15日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，英特爾已經(jīng)宣布CPU和SoC的生產(chǎn)工藝將在2013年底升級(jí)到14納米制程，并從2015年開始10納米及更低制程的工藝研發(fā)。
英特爾高級(jí)副總裁Mark Bohr在舊金山召開的英特爾開發(fā)者論壇大會(huì)(IDF)上展示了一張關(guān)于英特爾生產(chǎn)工藝的研發(fā)路線圖。
英特爾表示，即將采用的14納米工藝的代碼名稱為P1272和P1273，預(yù)計(jì)這個(gè)等級(jí)的工藝技術(shù)將在2013年底之前做好投產(chǎn)準(zhǔn)備。它補(bǔ)充說，它將繼續(xù)對(duì)俄勒岡的D1X工廠、亞利桑那州的Fab 42工廠和愛爾蘭的Fab 24工廠進(jìn)行投資。
英特爾之前已經(jīng)確認(rèn)，上述3家工廠將會(huì)采用14納米及更低制程的技術(shù)工藝。
另外，英特爾還指出，10納米、7納米和5納米制程工藝的研發(fā)工作將從2015年開始。
英特爾在2011年5月宣布了三維Tri-Gate晶體管，這項(xiàng)創(chuàng)新產(chǎn)品可以讓芯片在更低的電壓下運(yùn)行，功率損耗會(huì)更低，但性能和能效會(huì)比前一代晶體管更加優(yōu)秀。這種新的晶體管已經(jīng)被用于英特爾酷睿系列處理器，并從2011年底左右開始量產(chǎn)。
